[发明专利]半导体元件有效
申请号: | 201510961986.3 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN106898657B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 萧世楹;杨庆忠 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 | ||
1.一种半导体元件,包含有:
基底,包含有一第一导电型态;
第一阱区,形成于该基底内,该第一阱区包含有一第二导电型态,且该第二导电型态与该第一导电型态互补(complementary);
第一隔离结构,形成于该第一阱区内;
萧基势垒结构,形成于该第一阱区内;以及
多个辅助结构,形成于该第一阱区上,且该多个辅助结构实体接触该第一阱区,该多个辅助结构构造成增加萧基势垒结构处的元件密度,以避免在半导体元件的平坦化制作期间发生盘凹效应,
其中,该多个辅助结构不重叠该第一隔离结构。
2.如权利要求1所述的半导体元件,还包含多个第一接触插塞,形成于该第一阱区内。
3.如权利要求2所述的半导体元件,其中该多个第一接触插塞与该第一阱区电性隔离,并且与该多个辅助结构电性隔离。
4.如权利要求3所述的半导体元件,其中该多个辅助结构分别包含一介电层,且该介电层接触该第一阱区。
5.如权利要求4所述的半导体元件,其中该多个辅助结构分别包含一导电层,形成于该介电层上。
6.如权利要求2所述的半导体元件,还包含多个第二接触插塞,分别形成于该多个辅助结构上。
7.如权利要求6所述的半导体元件,其中该多个第一接触插塞与该多个第二接触插塞彼此电连接。
8.如权利要求7所述的半导体元件,其中该多个辅助结构分别包含一导电层,且该导电层接触该第一阱区。
9.如权利要求1所述的半导体元件,其中该多个辅助结构排列成一阵列图案、一框状图案、一格栅图案、或一条状图案。
10.如权利要求1所述的半导体元件,还包含:
第二阱区,形成于该第一隔离结构下方的该第一阱区内,且该第二阱区包含该第一导电型态;
第二隔离结构,形成于该基底内,且该第二隔离结构环绕该第一隔离结构与该第一阱区;
第一掺杂区,形成于该第一阱区内,且该第一掺杂区包含该第一导电型态;以及
第二掺杂区,形成于该第一隔离结构与该第二隔离结构之间,且该第二掺杂区包含该第二导电型态。
11.如权利要求10所述的半导体元件,还包含一自对准金属硅化物阻挡(salicideblock,SAB)层,形成于该基底上,且该第一掺杂区形成于该SAB层下。
12.如权利要求11所述的半导体元件,其中该萧基势垒结构形成于该多个辅助结构之间,和/或形成于该多个辅助结构与该SAB层之间。
13.一种半导体元件,包含有:
基底,包含有一第一导电型态;
第一阱区,形成于该基底内,该第一阱区包含有一第二导电型态,且该第二导电型态与该第一导电型态互补;
第一隔离结构,形成于该第一阱区内;
萧基势垒结构,形成于该第一阱区内;
多个辅助结构,形成于该第一阱区上,且该多个辅助结构实体接触该第一阱区,其中,该多个辅助结构构造成增加萧基势垒结构处的元件密度,以避免在半导体元件的平坦化制作期间发生盘凹效应,该多个辅助结构不重叠该第一隔离结构;以及
多个第一接触插塞,形成于该第一阱区内,且该多个辅助结构与该多个第一接触插塞彼此电连接。
14.如权利要求13所述的半导体元件,还包含多个第二接触插塞,分别形成于该多个辅助结构上。
15.如权利要求14所述的半导体元件,其中该多个第一接触插塞与该多个第二接触插塞彼此电连接。
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