[发明专利]一种薄膜晶体管及阵列基板有效
| 申请号： | 201510925800.9 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105405892B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 孙涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及阵列基板，该薄膜晶体管包括：栅极；栅极绝缘层，其形成在栅极上并覆盖栅极；有源层，其形成在栅极绝缘层上；第一材料层，其形成在有源层上；源/漏极，其形成在第一材料层上；其中，第一材料层包括：第一欧姆接触层、第二欧姆接触层以及高阻抗夹杂层，高阻抗夹杂层形成在第一欧姆接触层与第二欧姆接触层之间，其阻抗大于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的阻抗。该薄膜晶体管的能够有效降低源/漏极与有源层之间存在的漏电流，并且其制造工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；栅极绝缘层，其形成在所述栅极上并覆盖所述栅极；有源层，其形成在所述栅极绝缘层上；第一材料层，其形成在所述有源层上；源/漏极，其形成在所述第一材料层上；其中，第一材料层包括：第一欧姆接触层、第二欧姆接触层以及高阻抗夹杂层，所述高阻抗夹杂层形成在所述第一欧姆接触层与第二欧姆接触层之间，其阻抗大于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的阻抗，同时，高阻抗夹杂层的掺杂浓度小于所述第一欧姆接触层的掺杂浓度和第二欧姆接触层的掺杂浓度，所述高阻抗夹杂层与第一欧姆接触层的阻抗之比的取值范围是[1.05，1.45]，用以降低所述薄膜晶体管的漏电流在一个数量级以上；所述高阻抗夹杂层包括多个子材料层，各个子材料层中膜层之间形成不连续界面。
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