[发明专利]一种薄膜晶体管及阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极；

栅极绝缘层，其形成在所述栅极上并覆盖所述栅极；

有源层，其形成在所述栅极绝缘层上；

第一材料层，其形成在所述有源层上；

源/漏极，其形成在所述第一材料层上；

其中，第一材料层包括：第一欧姆接触层、第二欧姆接触层以及高阻抗夹杂层，所述高阻抗夹杂层形成在所述第一欧姆接触层与第二欧姆接触层之间，其阻抗大于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的阻抗，同时，高阻抗夹杂层的掺杂浓度小于所述第一欧姆接触层的掺杂浓度和第二欧姆接触层的掺杂浓度，所述高阻抗夹杂层与第一欧姆接触层的阻抗之比的取值范围是[1.05，1.45]，用以降低所述薄膜晶体管的漏电流在一个数量级以上；

所述高阻抗夹杂层包括多个子材料层，各个子材料层中膜层之间形成不连续界面。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一欧姆接触层与所述有源层接触。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述高阻抗夹层是通过对所述第一欧姆接触层进行正外延得到的。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一欧姆接触层是通过对N型半导体基片进行掺杂得到的。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一欧姆接触层是通过对N型半导体基片进行掺杂得到的。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述高阻抗夹层是通过一次或多次化学气相沉积工艺形成的。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述化学气相沉积工艺中所使用的反应气体包括：氮气、氨气或磷化氢。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的构成材料包括非晶硅，所述源/漏极的构成材料包括导电金属。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一材料层的厚度的取值范围是[300μm，400μm]，所述高阻抗夹杂层的厚度的取值范围是[100μm，200μm]。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为权利要求1～9中任一项所述的薄膜晶体管。