[发明专利]一种薄膜晶体管及阵列基板

说明书

一种薄膜晶体管及阵列基板，该薄膜晶体管包括：栅极；栅极绝缘层，其形成在栅极上并覆盖栅极；有源层，其形成在栅极绝缘层上；第一材料层，其形成在有源层上；源/漏极，其形成在第一材料层上；其中，第一材料层包括：第一欧姆接触层、第二欧姆接触层以及高阻抗夹杂层，高阻抗夹杂层形成在第一欧姆接触层与第二欧姆接触层之间，其阻抗大于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的阻抗。该薄膜晶体管的能够有效降低源/漏极与有源层之间存在的漏电流，并且其制造工艺简单。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种薄膜晶体管及阵列基板。

背景技术

随着平板显示(Flat Panel Display，简称为FPD)技术的发展，人们对显示器分辨率和画面刷新速率的要求越来越高，因此新材料和新工艺的发展也迫在眉睫。

目前在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，简称为TFT-LCD)领域，导电层的金属材料以铝和钼为主。铝和钼的优点在于成膜工艺简单，黏附性和平坦性较好，较柔软不容易发生爬坡断线，而且不容易扩散造成膜层污染。对于小尺寸和低分辨率的显示面板而言，铝是首选的理想导电金属材料。

然而，铝的电阻率相对较大，对于大尺寸和高分辨率的显示面板而言，由于信号线较长，因此使用铝作为导电层容易引发信号的延时，影响显示面板的显示效果。因此，铝不适用于大尺寸和高分辨率的显示面板。

作为导电金属材料，铜的导电率要远远优于铝。对于15.0寸的极速扩展图形阵列(Ultra eXtended Graphics Array，简称UXGA)显示屏，采用铜取代铝作为导电金属材料，其面板分辨率可以提升35.2％，亮度可以提高32％，同时闪烁度和线负载都能大大降低。因此针对目前高分辨率面板的市场需求，在未来的显示面板中，铜势必将取代铝。

在常规的背沟道刻蚀型TFT的铝制程以及铜制程工艺中，背沟道刻蚀型TFT的漏电流控制一直都是制程难点。尤其在铜制程工艺中，由于Cu离子的扩散，漏电问题将更为明显，这也就致使铜尚未能够完全取代铝而应用到平板显示面板中。对于该问题，目前主要通过变更缓冲金属层的金属种类，并缩短制程的等待时间，以弱化铜的漏电情况。然而这一解决方案提高了制备阵列基板的工艺难度，降低了阵列基板的生产效率。

发明内容

本发明所要解决的问题是为了有效减小薄膜晶体管的漏电流现象。为解决上述问题，本发明的实施例首先提供了一种薄膜晶体管，其包括：

栅极；

栅极绝缘层，其形成在所述栅极上并覆盖所述栅极；

有源层，其形成在所述栅极绝缘层上；

第一材料层，其形成在所述有源层上；

源/漏极，其形成在所述第一材料层上；

其中，第一材料层包括：第一欧姆接触层、第二欧姆接触层以及高阻抗夹杂层，所述高阻抗夹杂层形成在所述第一欧姆接触层与第二欧姆接触层之间，其阻抗大于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的阻抗。

根据本发明的一个实施例，所述高阻抗夹杂层与第一欧姆接触层的阻抗之比的取值范围包括[1.05，1.45]。

根据本发明的一个实施例，所述第一欧姆接触层与所述有源层接触，其包含有第一浓度的施主杂质，所述高阻抗夹层含有第二浓度的施主杂质，其中，所述第一浓度大于第二浓度。

根据本发明的一个实施例，所述高阻抗夹层是通过对所述第一欧姆接触层进行正外延得到的。

根据本发明的一个实施例，所述第一欧姆接触层是通过对N型半导体基片进行掺杂得到的。

根据本发明的一个实施例，所述高阻抗夹层是通过一次或多次化学气相沉积工艺形成的。