[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种在接合衬垫上表面电极不易剥离的半导体装置及其制造方法。所提供的半导体装置具有：第一绝缘膜，其被形成在半导体基板上并具有第一接触孔；接触插塞，其位于第一接触孔内；第二绝缘膜，其被形成在导电层上，并且具有与第一接触孔相比宽度较宽的第二接触孔；侧面部金属层，其对所述第二接触孔的侧面与底面之间的角部进行覆盖，并且通过与接触插塞为同种的金属而构成；第一表面电极，其以从第二绝缘膜上跨至第二接触孔内的方式而延伸。第一表面电极对侧面部金属层进行覆盖，并通过与接触插塞不同的金属而构成。在第二接触孔的底面的上部的第一表面电极中形成有接合衬垫。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板；第一绝缘膜，其被形成在所述半导体基板上，并具有第一接触孔；接触插塞，其被配置在所述第一接触孔内；第一表面电极，其以从所述第一绝缘膜上跨至所述接触插塞上的方式而延伸；导电层，其被形成在形成有所述第一绝缘膜的一侧的所述半导体基板的表面上或露出于所述表面的半导体区域内；第二绝缘膜，其被形成在所述导电层上，并具有与所述第一接触孔相比宽度较宽的第二接触孔；侧面部金属层，其对所述第二接触孔的侧面与底面之间的角部进行覆盖，并通过与所述接触插塞为同种的金属而构成；第二表面电极，其以从所述第二绝缘膜上跨至所述第二接触孔内的方式而延伸，对所述侧面部金属层进行覆盖，并通过与所述接触插塞不同的金属而构成，在所述第二接触孔的所述底面的上部的第二表面电极中形成有接合衬垫。