[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

半导体基板；

第一绝缘膜，其被形成在所述半导体基板上，并具有第一接触孔；

接触插塞，其被配置在所述第一接触孔内；

第一表面电极，其以从所述第一绝缘膜上跨至所述接触插塞上的方式而 延伸；

导电层，其被形成在形成有所述第一绝缘膜的一侧的所述半导体基板的 表面上或露出于所述表面的半导体区域内；

第二绝缘膜，其被形成在所述导电层上，并具有与所述第一接触孔相比 宽度较宽的第二接触孔；

侧面部金属层，其对所述第二接触孔的侧面与底面之间的角部进行覆盖， 并通过与所述接触插塞为同种的金属而构成；

第二表面电极，其以从所述第二绝缘膜上跨至所述第二接触孔内的方式 而延伸，对所述侧面部金属层进行覆盖，并通过与所述接触插塞不同的金属 而构成，

在所述第二接触孔的所述底面的上部的第二表面电极中形成有接合衬 垫。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述侧面部金属层的厚度随着从所述侧面的上侧趋向于下侧而增加。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

还具有第三绝缘膜，所述第三绝缘膜被形成在所述半导体基板上，

所述导电层被形成在所述第三绝缘膜上。

4.如权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第一表面电极通过与所述第二表面电极为同种的金属而构成。

5.如权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述接触插塞与所述半导体基板之间，以及所述侧面部金属层与所述 导电层之间存在有阻挡金属。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述第二绝缘膜的至少表层部为硼磷硅玻璃膜，

所述第二表面电极与所述硼磷硅玻璃膜直接接触。

7.如权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述接触插塞和所述侧面部金属层通过钨而构成。

8.一种方法，其为制造半导体装置的方法，包括：

在半导体基板的表面上或露出于所述表面的半导体区域内形成导电层的 工序；

在所述导电层的外侧的范围内的所述半导体基板上形成第一绝缘膜的工 序；

在所述导电层上形成第二绝缘膜的工序；

在所述第一绝缘膜上形成第一接触孔的工序；

在所述第二绝缘膜上形成与所述第一接触孔相比宽度较宽的第二接触孔 的工序；

在所述第一绝缘膜上、所述第一接触孔内、所述第二绝缘膜上以及所述 第二接触孔内形成金属层的工序；

以在所述第二接触孔的侧面与底面之间的角部处残留有所述金属层，并 且在所述第一接触孔内残留有所述金属层的方式而对所述金属层进行蚀刻的 工序；

形成以从所述第一绝缘膜上跨至所述接触插塞上的方式而延伸的第一表 面电极的工序；

形成以从所述第二绝缘膜上跨至所述第二接触孔内的方式而延伸，并且 对所述角部的所述金属层进行覆盖的第二表面电极的工序。