[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本说明书所公开的技术涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

专利文献1的半导体装置具有被形成在半导体基板的表面上的绝缘膜。 在绝缘膜上形成有接触孔。绝缘膜的上表面和接触孔的内表面被由Ti等构成 的阻挡金属所覆盖。此外，在接触孔内配置有由Al等构成的接触插塞。在接 触孔内，接触插塞经由阻挡金属而与半导体基板连接。通过阻挡金属，从而 防止了构成接触插塞的元素向阻挡金属的下侧的半导体基板扩散的情况。在 绝缘膜和接触插塞上配置有由Al等构成的表面电极。在表面电极上接合有引 线。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-192351号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在表面电极上接合引线时，表面电极向从半导体基板离开的方向被拉伸。 因此，存在有表面电极与阻挡金属一起从其下部的绝缘膜上剥离的情况。因 此，在本说明书中，提供一种在接合衬垫上表面电极不易剥离的半导体装置。

用于解决课题的方法

本说明书所公开的半导体装置具有半导体基板、第一绝缘膜、接触插塞、 第一表面电极、导电层、第二绝缘膜、侧面部金属层、第二表面电极。第一 绝缘膜被形成在所述半导体基板上，并具有第一接触孔。接触插塞被配置在 所述第一接触孔内。第一表面电极以从所述第一绝缘膜上跨至所述接触插塞 上的方式而延伸。导电层被形成在形成有所述第一绝缘膜的一侧的所述半导 体基板的表面上或露出于所述表面的半导体区域内。第二绝缘膜被形成在所 述导电层上，并具有与所述第一接触孔相比宽度较宽的第二接触孔。侧面部 金属层对所述第二接触孔的侧面与底面之间的角部进行覆盖，并通过与所述 接触插塞同种的金属而构成。第二表面电极以从所述第二绝缘膜上跨至所述 第二接触孔内的方式而延伸，对所述侧面部金属层进行覆盖，并通过与所述 接触插塞不同的金属而构成。在所述第二接触孔的所述底面的上部的第二表 面电极中形成有接合衬垫。

另外，上述的导电层的含义为具有与半导体同等或与半导体相比较高的 导电性的层。即，导电层为导体或半导体。导电层也可以被形成在露出于形 成有第一绝缘膜的一侧的半导体基板的表面的半导体区域内。即，导电层也 可以为半导体基板内的半导体层(即，半导体基板本身)。此外，导电层也可 以为被形成在形成有第一绝缘膜的一侧的半导体基板的表面上的配线等。另 外，在导电层形成在半导体基板的表面上的情况下，导电层既可以与半导体 基板的表面直接接触，也可以在导电层与半导体基板之间存在有其他的层(例 如，绝缘膜)。此外，在本说明书中，接触插塞的含义为被配置在第一接触孔 内的金属的主材料。因此，在存在有对第一接触孔的内表面进行覆盖的极薄 的膜(例如，阻挡金属等)的情况下，该薄膜并不是接触插塞。此外，上述 的第一绝缘层与第二绝缘层也可以互相连结。即，上述的第一绝缘层与第二 绝缘层也可以通过单一的绝缘层而构成。

在该半导体装置中，第二接触孔的宽度与第一接触孔的宽度相比较宽。 因此，在接合衬垫的下部(即，第二接触孔的底面)，第二表面电极在较宽的 范围内与导电层连接。因此，在接合衬垫(即，第二表面电极)上接合引线 时，第二表面电极不易剥离。此外，在该半导体装置中，在第二接触孔的角 部处形成有侧面部金属层。当以这种方式形成侧面部金属层时，能够比较平 坦地形成侧面部金属层上的第二表面电极。由此，第二表面电极的强度提高。 由此，也使第二表面电极变得不易剥离。