[发明专利]一种SRAM自跟踪复制位线电路有效
| 申请号： | 201510898475.1 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105336361B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吴秀龙;蔺智挺;彭春雨;徐晨杰;高珊;李正平;谭守标;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;郑哲 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM自跟踪复制位线电路，该电路能够利用正在进行读操作存储单元附近的一列未工作在保持状态的存储单元作为复制位线对读状态进行跟踪，从而可以精确的模拟SRAM读操作时位线的放电过程，进而产生具有较小偏差的灵敏放大器使能信号，有效降低读错误率，特别适用于有较大工艺波动的先进制造工艺和拥有较大规模SRAM存储阵列的电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 跟踪 复制 电路 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM自跟踪复制位线电路，其特征在于，包括：若干组包含依次连接了本地控制信号产生模块、灵敏放大器以及SRAM基本单元的存储阵列，且组与组之间的存储阵列并联连接；其中，每一SRAM基本单元的存储阵列均平均分成依次排列的A、B、C、D四列存储单元组；将字线译码地址信号的后两位作为本地译码信号，选择A、B、C、D中的一列进行读写操作，其他未被选中的三列存储单元组工作在保持状态；从三列处于保持状态的存储单元组中选择与正在进行读操作的存储单元相隔一列的存储单元组作为复制位线，用来产生灵敏放大器的使能信号。
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