[发明专利]等离子体处理系统中的惰性主导脉冲

摘要

提供一种用于对处理腔室中的衬底进行处理的方法，处理腔室具有至少一个等离子体产生源、和用于向腔室提供处理气体的气体源。该方法包含用具有射频频率的射频信号激发等离子体产生源。该方法还包含使用至少第一气体脉冲频率给气体源施加脉冲，使得在气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至腔室，在气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至腔室，气体脉冲周期与第一气体脉冲频率关联。相对于第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低。第二处理气体通过从第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。

主权项

一种用于在等离子体处理系统的等离子体处理腔室中使用原子层蚀刻进行蚀刻的方法，所述等离子体处理腔室具有至少一个等离子体产生源和向所述等离子体处理腔室的内部区域提供处理气体的至少气体源，所述方法包括提供多个循环，其中每个循环包括：使包含反应气体和惰性气体的第一气体流入所述处理腔室内；提供第一射频信号以使所述第一气体形成为第一等离子体；停止使所述第一气体流入所述处理腔室内；使第二气体流入所述处理腔室内，其中所述第二气体基本上由所述惰性气体构成；提供不同于所述第一射频信号的第二射频信号以使所述第二气体形成为第二等离子体；以及停止使所述第二气体流入所述处理腔室内。