[发明专利]等离子体处理系统中的惰性主导脉冲

说明书

本申请是申请日为2012年11月12日、中国专利申请号为 201280056139.7(对应国际申请号为PCT/IB2012/056348)、发明名称为 “等离子体处理系统中的惰性主导脉冲”的发明专利申请的分案申请。

优先权要求

本申请根据美国专利法35条119(e)要求如下共同拥有的临时 专利申请的优先权：名称为“等离子体处理系统中的惰性主导脉冲”、美国 申请号61/560005，由KerenJacobsKanarik于2011年11月15日提交，其全 部内容并入本文作参考。

背景技术

等离子体处理系统早已被采用来处理衬底(例如晶片或者平板或 者LCD面板)，以形成集成电路或者其他电子产品。流行的等离子体处理系 统可能包含电容耦合的等离子体处理系统(CCP)或者电感耦合的等离子体 处理系统(ICP)等等。

一般而言，等离子体衬底处理涉及离子和自由基(也被称为中性 粒子)的平衡。例如，对于与离子相比具有较多自由基的等离子体，蚀刻趋 向于更具化学性且各向同性。对于与自由基相比具有较多离子的等离子体， 蚀刻趋向于更具物理性，且选择性问题往往出现。在传统等离子体腔室中， 离子和自由基趋向于密切耦合。相应地，(相对于处理参数的)处理窗趋向 于相当狭窄，因为存在有限的控制旋钮来独立实现离子主导的等离子体或者 自由基主导的等离子体。

随着电子设备变得更小和/或更复杂，诸如选择性、均一性、高深 宽比、深宽依赖蚀刻等的蚀刻要求都提高了。尽管已经可以通过改变诸如压 力、射频偏置、功率等某些参数来对当前这一代的产品执行蚀刻，但下一代 的更小和/或更复杂的产品要求不同的蚀刻能力。离子和自由基无法更有效地 解耦以及无法更独立地受控的这一事实使在某些等离子体处理系统中执行某 些蚀刻处理以制造这些更小和/或更复杂的电子设备受到限制并且在某些情况 下使其变得不能实行。

在已有技术中，已做出获得等离子体条件的尝试，以在蚀刻期间 在不同时间调制离子比自由基的比率。在常规方案中，源射频信号可能是脉 冲的(例如导通和截止)，以获得在脉冲周期的一个相位(例如脉冲导通 相)具有通常的离子与中性粒子通量比的等离子体、以及在脉冲周期的另一 个相位(例如脉冲截止相)具有低的离子与中性粒子通量比的等离子体。已 知源射频信号可以与偏置射频信号被同步施加脉冲。

然而，已观察到已有技术的脉冲在一定程度上导致了在时间中的 不同点，通常的离子与中性粒子通量比的等离子体的交替相位，并已打开了 用于一些处理的操作窗，但仍然期望更大的操作窗。

附图说明

在附图中，以示例的方式，而非以限制的方式示出本发明，且在 附图中，同样的参考标记指代类似的元件，其中：

图1示出了依据本发明的一个或多个实施方式的、输入气体(诸 如反应气体和/或惰性气体)和源射频信号两者都被施加脉冲(尽管以不同脉 冲频率)的示例组合脉冲方案。

图2示出了依据本发明的一个或多个实施方式的另一个示例组合 脉冲方案。

图3示出了依据本发明的一个或多个实施方式的又一个示例组合 脉冲方案。

图4示出了依据本发明的一个或多个实施方式的用于组合脉冲方 案的其他可能的组合。

图5示出了依据本发明的一个或多个实施方式的用于执行组合脉 冲的步骤。

图6示出了依据本发明的一个或多个实施方式的用于执行气体脉 冲的步骤。

图7A和图7B示出了依据本发明的实施方式的结合图6讨论的气 体脉冲方案的不同的示例变化。

具体实施方式

现在参考如图所示的几个实施方式详细说明本发明。在下面的说 明中，记载了大量具体细节，用来提供对本发明的彻底理解。然而，显而易 见，本领域的技术人员可知，可以不用一些或者所有这些具体细节来实践本 发明。在其他实例中，没有详细说明周知的处理步骤和/或构造，以防不必要 地模糊本发明。