[发明专利]具有异质结构的半导体器件及其形成方法

摘要

提供了如下的半导体器件。第一缓冲层设置在包括NMOS区和PMOS区的基板上。第一漏极和第一源极设置在第一缓冲层上并具有异质结构。第一沟道设置在第一漏极和第一源极之间。第一栅电极设置在第一沟道上。第二漏极和第二源极设置在第一缓冲层上。第二沟道设置在第二漏极和第二源极之间。第二沟道包括与第一沟道不同的材料。第二栅电极设置在第二沟道上。第一漏极、第一源极、第一沟道和第一栅电极设置在NMOS区中。第二漏极、第二源极、第二沟道和第二栅电极设置在PMOS区中。

主权项

一种半导体器件，包括：基板，包括NMOS区和PMOS区；在所述基板上的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层上并彼此间隔开的第一漏极和第一源极，其中所述第一漏极和所述第一源极每个具有异质结构；在所述第一漏极和所述第一源极之间的第一沟道；在所述第一沟道上的第一栅电极；设置在所述第一缓冲层上并彼此间隔开的第二漏极和第二源极；第二沟道，设置在所述第二漏极和所述第二源极之间并包括与所述第一沟道不同的材料；和在所述第二沟道上的第二栅电极，其中所述第一漏极、所述第一源极、所述第一沟道和所述第一栅电极设置在所述NMOS区中，和所述第二漏极、所述第二源极、所述第二沟道和所述第二栅电极设置在所述PMOS区中。