[发明专利]增大用于铸造工艺的LDMOS装置的击穿电压有效
| 申请号： | 201510824638.1 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105633163A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 伊藤明 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及增大用于铸造工艺的LDMOS装置的击穿电压。一种具有改进的击穿电压的横向扩散MOS(LDMOS)装置，包括：衬底，该衬底包括深阱；漏极区，该漏极区形成在深阱中并且与深阱的第一区接触；以及源极区，该源极区形成在深阱中并且与深阱的第二区接触。深阱的第一区和第二区的掺杂浓度彼此不同。深阱的第一区和第二区的掺杂浓度之间的差值取决于用于形成深阱的注入布局技术。 | ||
| 搜索关键词： | 增大 用于 铸造 工艺 ldmos 装置 击穿 电压 | ||
【主权项】：
一种具有改进的击穿电压的横向扩散MOS装置，所述装置包括：衬底，包括深阱；漏极区，形成在所述深阱中并且与所述深阱的第一区接触；以及源极区，形成在所述深阱中并且与所述深阱的第二区接触，其中，所述深阱的所述第一区和所述第二区的掺杂浓度彼此不同，并且其中，所述深阱的所述第一区和所述第二区的掺杂浓度之间的差值取决于用于形成所述深阱的注入布局技术。
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