[发明专利]增大用于铸造工艺的LDMOS装置的击穿电压

权利要求书

1.一种具有改进的击穿电压的横向扩散MOS装置，所述装置包括：

衬底，包括深阱；

漏极区，形成在所述深阱中并且与所述深阱的第一区接触；以 及

源极区，形成在所述深阱中并且与所述深阱的第二区接触，其 中，所述深阱的所述第一区和所述第二区的掺杂浓度彼此不同，并 且其中，所述深阱的所述第一区和所述第二区的掺杂浓度之间的差 值取决于用于形成所述深阱的注入布局技术。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述深阱包括深N阱，并且其 中，所述注入布局技术包括使用包含多个条纹的掩模以对所述深N 阱进行注入。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述横向扩散MOS包括P沟 道横向扩散MOS，其中，所述漏极区包括P阱区并且所述源极区包 括N阱区，其中，所述掩模包括在掩模的对应于所述深阱的所述第 一区的掩模的部分中的所述多个条纹，并且其中，所述多个条纹形 成为彼此垂直的两组条纹。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述多个条纹被配置为能够初 始形成与所述深阱中的非掺杂区相邻的高掺杂浓度注入区，所述非 掺杂区被所述多个条纹遮挡。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述横向扩散MOS包括N沟 道横向扩散MOS，其中，所述漏极区包括N阱区并且所述源极区包 括P阱区，其中，所述注入布局技术包括使用包含多个条纹的掩模 以对所述P阱区或者深N阱中的至少一个进行注入。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括较高的击穿电压 横向扩散MOS装置，并且其中，所述装置的较高击穿电压是由于使 用所述注入布局技术导致的与P阱区接触的深阱区中的较低的掺杂 浓度或者使用所述注入布局技术导致的所述P阱区的掺杂水平变化 中的至少一个而导致。

7.一种用于提供具有改进的击穿电压的横向扩散MOS装置的方法，所 述方法包括：

提供衬底；

使用注入布局技术在所述衬底上形成深阱，其中，所述注入布 局技术使所述深阱的第一区和第二区的掺杂浓度彼此不同；

在所述深阱中形成漏极区并且所述漏极区与所述深阱的所述 第一区接触；并且

在所述深阱中形成源极区并且所述源极区与所述深阱的所述 第二区接触。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述深阱包括形成深N阱， 并且其中，所述方法进一步包括提供包括多个条纹的第一掩模，其 中，使用所述注入布局技术包括使用所述第一掩模以对所述深N阱 进行注入。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述横向扩散MOS包括P沟 道，其中，形成所述漏极区包括形成P阱区以及形成所述源极区包 括N阱区，其中，提供所述第一掩模包括提供包含所述掩模的与所 述深阱的所述第一区对应的部分中的所述多个条纹的第一掩模，并 且其中，提供所述第一掩模包括提供包含在彼此垂直的两组条纹中 形成的所述多个条纹的第一掩模。

10.一种通信装置，包括：

一个或多个传感器；以及

一个或多个传感器电路，每个传感器电路包括一个或多个高压 横向扩散MOS装置，所述横向扩散MOS装置包括：

衬底，包括深阱；

漏极区，形成在所述深阱中并且与所述深阱的第一区接触；以 及

源极区，形成在所述深阱中并且与所述深阱的第二区接触，其 中，所述深阱通过使用注入布局技术形成，所述注入布局技术允许 形成具有不同掺杂浓度的所述深阱的所述第一区和所述第二区。