[发明专利]打拿极结构及基于该打拿极结构的弧形打拿极电子倍增器在审
| 申请号： | 201510808627.4 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105470092A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 吴胜利;魏强;胡文波;张劲涛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J43/10 | 分类号： | H01J43/10;H01J9/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种打拿极结构及基于该打拿极结构的弧形打拿极电子倍增器，包括基架盒体、栅电极及金属基底；所述基架盒体为四分之一圆柱体结构，其中，基架盒体包括底板、第一侧板及第二侧板，底板为圆弧形结构，第一侧板及第二侧板分别与底板的两侧面相连接，金属基底固定于底板的上部，且金属基底的上表面为内凹的弧面，金属基底的上表面上采用磁控溅射法生长有一层氧化物薄膜，金属基底位于第一侧板、第二侧板及底板之间，入射电子经栅电极加速后入射到氧化物薄膜上。该电子倍增器的打拿极的结构均匀，二次电子发射效率高，使用寿命长，并且安装简便。 | ||
| 搜索关键词： | 打拿极 结构 基于 弧形 电子倍增器 | ||
【主权项】：
一种打拿极结构，其特征在于，所述打拿极结构为在金属基底(100)的上表面上采用磁控溅射法生长的一层氧化物薄膜(110)。
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