[发明专利]打拿极结构及基于该打拿极结构的弧形打拿极电子倍增器

权利要求书

1.一种打拿极结构，其特征在于，所述打拿极结构为在金属基底(100) 的上表面上采用磁控溅射法生长的一层氧化物薄膜(110)。

2.一种弧形打拿极电子倍增器，其特征在于，包括基架盒体(130)、 栅电极(140)及金属基底(100)；

所述基架盒体(130)为四分之一圆柱体结构，其中，基架盒体(130) 包括底板、第一侧板及第二侧板，第一侧板及第二侧板分别与底板的两侧 面相连接，金属基底(100)固定于底板的上部，且金属基底(100)的上 表面及底板的上表面均为内凹的弧面，金属基底(100)的上表面上采用 磁控溅射法生长有一层氧化物薄膜(110)，金属基底(100)位于第一侧 板、第二侧板及底板之间，入射电子经栅电极(140)加速后入射到氧化 物薄膜(110)上。

3.根据权利要求1所述的弧形打拿极电子倍增器，其特征在于，所 述金属基底(100)的上下两端分别设有用于夹持底板的上下两端的固定 夹片(120)。

4.根据权利要求3所述的弧形打拿极电子倍增器，其特征在于，所 述固定夹片(120)为L型结构或矩形结构。

5.根据权利要求2所述的弧形打拿极电子倍增器，其特征在于，基 架盒体(130)通过钢材制作而成。

6.根据权利要求2所述的弧形打拿极电子倍增器，其特征在于，金 属基底(100)的厚度为0.2～0.5mm。

7.根据权利要求2所述的弧形打拿极电子倍增器，其特征在于，金 属基底(100)的横截面对应的弧心角为90°。