[发明专利]一种提高芯片可靠性的封装结构及其圆片级制作方法

摘要

本发明公开了一种提高芯片可靠性的封装结构及其圆片级制作方法，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，所述芯片单体的前后左右四个侧壁各设置加强结构，所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层，并于所述芯片电极的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口，在绝缘薄膜层的上表面形成再布线金属层，所述再布线金属层与芯片电极实现电性连接，在再布线金属层的最外层设有输入/输出端，在输入/输出端处形成连接件，所述薄膜包封体的背面设置硅基加强板。本发明的封装方法通过圆片级封装工艺结合半刀工艺成形，节约了切割刀使用耗损，并提高了封装产品在使用过程中的可靠性。

主权项

一种提高芯片可靠性的封装结构，其包括上表面设有芯片电极及相应电路布局的芯片单体，所述芯片单体的芯片本体的上表面覆盖芯片表面钝化层并开设有芯片表面钝化层开口，芯片电极的上表面露出芯片表面钝化层开口， 其特征在于：所述芯片单体的前后左右四个侧壁各设置一加强结构，所述加强结构包括两个斜面和上下连接该两个斜面的一平面；还包括薄膜包封体，所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片表面钝化层开口内填充先形成镍层再形成金层的镍/金层，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层Ⅰ，并于所述镍/金层的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口，在绝缘薄膜层Ⅰ的上表面形成再布线金属层和绝缘薄膜层Ⅱ，所述再布线金属层填充绝缘薄膜层Ⅰ开口，所述再布线金属层通过镍/金层与芯片电极实现电性连接，在再布线金属层的最外层设有输入/输出端，所述绝缘薄膜层Ⅱ覆盖再布线金属层并露出输入/输出端，在所述输入/输出端处形成连接件，所述薄膜包封体的背面设置硅基加强板。