[发明专利]用于集成电路芯片中的上电复位电路有效
| 申请号： | 201510800522.4 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105281725B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 武振宇;王宇晨;郑金汪;王瑞玉 | 申请（专利权）人： | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22;H03K17/28 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 张文娟;朱绘 |
| 地址： | 100191 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于集成电路芯片中的上电复位电路，包括延时电路，使输入的电源电压形成具有一定时间延迟的延时电压信号；比较电路，接收所述延时电压信号，当所述延时电压信号大于设定的电压值时输出复位信号；偏置电路，为所述比较电路提供设定的电压值。该上电复位电路在有效降低电路的版图面积的同时，解决了电源毛刺造成的系统不稳定的问题，且当电源缓慢上升时也能够实现可靠的复位，易于推广实施。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 芯片 中的 复位 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于集成电路芯片中的上电复位电路，包括：延时电路，使输入的电源电压形成具有一定时间延迟的延时电压信号；比较电路，接收所述延时电压信号，当所述延时电压信号大于设定的电压值时输出复位信号；偏置电路，为所述比较电路提供设定的电压值，其中，所述延时电路设置为低通网络，包括第一晶体管与第一滤波电容，且所述第一晶体管工作于截止区，其中，所述第一晶体管为PMOS晶体管，所述第一滤波电容为NMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极与漏极短接，所述NMOS晶体管的源极与漏极短接，输入的电源电压的正极和负极分别耦接于所述PMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的漏极，且所述PMOS晶体管的源极与所述NMOS晶体管的栅极耦接在一起以输出延时电压信号，其中，所述比较电路包括正反馈迟滞比较器，其中，所述PMOS晶体管的源极耦接于所述正反馈迟滞比较器的同相输入端，所述正反馈迟滞比较器的反相输入端通过一阶滤波网络接入所述设定的电压值。
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