[发明专利]用于集成电路芯片中的上电复位电路

权利要求书

1.一种用于集成电路芯片中的上电复位电路，包括：

延时电路，使输入的电源电压形成具有一定时间延迟的延时电压信号；

比较电路，接收所述延时电压信号，当所述延时电压信号大于设定的电压值时输出复位信号；

偏置电路，为所述比较电路提供设定的电压值，

其中，所述延时电路设置为低通网络，包括第一晶体管与第一滤波电容，且所述第一晶体管工作于截止区，

其中，所述第一晶体管为PMOS晶体管，所述第一滤波电容为NMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极与漏极短接，所述NMOS晶体管的源极与漏极短接，输入的电源电压的正极和负极分别耦接于所述PMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的漏极，且所述PMOS晶体管的源极与所述NMOS晶体管的栅极耦接在一起以输出延时电压信号，

其中，所述比较电路包括正反馈迟滞比较器，

其中，所述PMOS晶体管的源极耦接于所述正反馈迟滞比较器的同相输入端，所述正反馈迟滞比较器的反相输入端通过一阶滤波网络接入所述设定的电压值。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一滤波电容包括MOS电容、MIM电容或MOM电容。

3.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述偏置电路包括依次串接于输入的电源电压的正极和负极之间的第一偏置电阻、第一二极管与第二二极管，所述第一二极管与第二二极管均正向偏置，且在它们的耦接处输出所述设定的电压值。

4.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述偏置电路还包括依次串接于输入的电源电压的正极和负极之间的第二晶体管与第二偏置电阻，所述第二晶体管工作于饱和区，且其栅极与漏极短接，在所述第二晶体管的漏极与所述第二偏置电阻的耦接处输出所述正反馈迟滞比较器所需的偏置电压。

5.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述一阶滤波网络包括第二滤波电容，所述第二滤波电容的电容值不大于1pF。

6.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，通过改变所述PMOS晶体管的宽长比和/或所述NMOS晶体管的宽与长的乘积调节所述延时电路的延时时间。