[发明专利]一种用于芯片检测的热界面材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于芯片检测的热界面材料，包括厚度为300μm～600μm的涂层以及厚度为20μm～200μm的金属箔，所述涂层覆盖于所述金属箔的全部或者部分表面，所述涂层包括质量比为1:1～8:1的高导热填料以及高分子载体，所述热界面材料的导热系数为4W/(m·K)～10W/(m·K)。本发明还公开了该热界面材料的制备方法以及在芯片检测中的应用。本发明的热界面材料具有良好的导热性能和缓冲性能，测试过程中用于将测试压头的热量传递到被测芯片表面，保证芯片测试稳定的测试温度环境，能广泛应用于电子元器件及芯片热稳定性能的检测。

主权项

1.一种用于芯片检测的热界面材料，其特征在于，包括厚度为300μm～600μm的涂层以及厚度为20μm～200μm的金属箔，所述涂层覆盖于所述金属箔的全部或者部分表面，所述涂层包括质量比为1:1～8:1的高导热填料以及高分子载体，所述高导热填料的尺寸为20nm～100μm，所述高分子载体为环氧树脂、聚乙烯醇、聚偏氟乙烯、聚乙二醇、酚醛树脂以及硅树脂中的一种或多种；所述金属箔为铜箔、铜合金箔、铝箔、铝合金箔、镍箔或镍合金箔；所述热界面材料的制备方法包括以下步骤：(1)将高导热填料与高分子载体以1:1～8:1的比例混合，并在有机溶剂中均匀分散，制得导热涂料；所述高导热填料为碳、铜、银、氮化铝、氮化硼、碳化硅、氧化铝以及氧化锌中的一种或多种，其尺寸为20nm～100μm，所述高分子载体为环氧树脂、聚乙烯醇、聚偏氟乙烯、聚乙二醇、酚醛树脂、硅树脂中的一种或多种；(2)将所述步骤(1)得到的导热涂料涂覆于厚度为20μm～200μm的金属箔表面，在40℃～80℃中加热使得所述有机溶剂完全挥发且所述高分子载体交联化，在金属箔表面形成厚度为300μm～600μm的均匀涂层，即制备得到所述热界面材料。