[发明专利]包括带电荷体侧墙的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510746438.9 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105405890B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;魏星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了包括带电荷体侧墙的半导体器件及其制造方法。半导体器件可以是n型器件或p型器件，各自均可以包括：在衬底上依次形成的构图的第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层被构图为鳍状结构，且第一半导体层相对于第二半导体层横向凹入；在所述横向凹入中形成的体侧墙，体侧墙包括电介质材料；在衬底上形成的隔离层，所述隔离层的顶面位于第一半导体层的顶面和底面之间，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该半导体器件的鳍；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠。对于n型器件，体侧墙可以带有净负电荷，使得第一半导体层呈现p型；而对于p型器件，体侧墙可以带有净正电荷，使得第一半导体层呈现n型。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电荷 体侧墙 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种n型半导体器件，包括：在衬底上依次形成的构图的第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层被构图为鳍状结构，且第一半导体层相对于第二半导体层横向凹入；在所述横向凹入中形成的体侧墙，体侧墙包括电介质材料；在衬底上形成的隔离层，所述隔离层的顶面位于第一半导体层的顶面和底面之间，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该半导体器件的鳍；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，体侧墙带有净负电荷，使得第一半导体层呈现p型。
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