[发明专利]包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510745228.8 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105244353B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;魏星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/118 | 分类号： | H01L27/118;H01L27/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法。根据实施例，一种CMOS器件包括n型器件和p型器件，其中，n型器件和p型器件各自均可以包括：在衬底上形成的鳍状结构；在衬底上形成的隔离层，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该n型器件或p型器件的鳍；在鳍状结构位于鳍下方的部分的侧壁上形成的带电荷的穿通阻止层；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，对于n型器件，穿通阻止层带净负电荷；对于p型器件，穿通阻止层带净正电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 穿通 阻止层 鳍状结构 电荷 隔离层 衬底 净负电荷 净正电荷 栅堆叠 侧壁 相交 制造 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体CMOS器件，包括n型器件和p型器件，其中，n型器件和p型器件各自均包括：在衬底上形成的鳍状结构；在衬底上形成的隔离层，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该n型器件或p型器件的鳍；在鳍状结构位于鳍下方的部分的侧壁上形成的带电荷的穿通阻止层；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，对于n型器件，穿通阻止层带净负电荷；对于p型器件，穿通阻止层带净正电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
