[发明专利]一种印刷型高分辨率显示器件及其制作方法在审
申请号: | 201510739686.0 | 申请日: | 2015-11-04 |
公开(公告)号: | CN105336881A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种印刷型高分辨率显示器件及其制作方法。本发明在像素bank的制作过程中,对像素发光区域进行全曝光,相同颜色子像素相邻区域进行半曝光,不同颜色子像素相连区域不曝光,通过刻蚀、显影等处理将像素bank图案化,其中相同颜色子像素相连区域的像素bank较薄,定义子像素发光区域,不同颜色子像素相连区域bank较厚,定义印刷工艺中的墨水沉积区域,从而成倍的增大墨水的沉积区域,可以有效减小各子像素的面积,结合像素bank表面疏水处理,实现印刷型高分辨显示器的制作。 | ||
搜索关键词: | 一种 印刷 高分辨率 显示 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种印刷型高分辨率显示器件的制作方法,其特征在于,包括步骤:A1、在具有图案化底电极的TFT基板上形成一层用于制作像素bank的薄膜层,然后在薄膜层上形成一层光阻层;A2、通过曝光掩膜对光阻层进行曝光,其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光,随后进行显影以将光阻层图案化;A3、通过光阻掩膜对薄膜层进行刻蚀,将全曝光区域全部刻蚀至露出像素电极,将半曝光区域部分刻蚀至残留部分薄膜层,未曝光区域未被刻蚀,随后剥离光阻层,从而形成所需的厚度不一的像素bank;A4、对完成上述步骤的TFT基板进行清洗,随之对其进行表面疏水处理,形成疏水的像素bank表面;A5、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件,最后沉积电极,并对器件进行封装;不同颜色子像素相连区域的像素bank的厚度为1000nm-3000nm;相同颜色子像素相连区域的像素bank的厚度为100nm-500nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司,未经TCL集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510739686.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电池组组装结构
- 下一篇:一种白光有机发光二极管器件及制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择