[发明专利]一种印刷型高分辨率显示器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201510739686.0 申请日: 2015-11-04
公开(公告)号: CN105336881A 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 陈亚文 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 印刷 高分辨率 显示 器件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种印刷型高分辨率显示器件的制作方法,其特征在于,包括步骤:

A1、在具有图案化底电极的TFT基板上形成一层用于制作像素bank的薄膜层,然后在薄膜层上形成一层光阻层;

A2、通过曝光掩膜对光阻层进行曝光,其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光,随后进行显影以将光阻层图案化;

A3、通过光阻掩膜对薄膜层进行刻蚀,将全曝光区域全部刻蚀至露出像素电极,将半曝光区域部分刻蚀至残留部分薄膜层,未曝光区域未被刻蚀,随后剥离光阻层,从而形成所需的厚度不一的像素bank;

A4、对完成上述步骤的TFT基板进行清洗,随之对其进行表面疏水处理,形成疏水的像素bank表面;

A5、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件,最后沉积电极,并对器件进行封装;

不同颜色子像素相连区域的像素bank的厚度为1000nm-3000nm;

相同颜色子像素相连区域的像素bank的厚度为100nm-500nm。

2.一种印刷型高分辨率显示器件的制作方法,其特征在于,包括步骤:

B1、在具有图案化底电极的TFT基板上形成一层用于制作像素bank的光阻层;

B2、通过曝光掩膜对光阻层进行曝光,其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光;

B3、随后进行显影处理,将全曝光区域光阻层全部去除,露出像素电极,半曝光区域光阻层部分去除,未曝光区域光阻层不变,从而形成所需的厚度不一的像素bank;

B4、对完成上述步骤的TFT基板进行清洗,随之对其进行表面疏水处理,形成疏水的像素bank表面;

B5、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件,最后沉积电极,并对器件进行封装;

不同颜色子像素相连区域的像素bank的厚度为1000nm-3000nm;

相同颜色子像素相连区域的像素bank的厚度为100nm-500nm。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述步骤A4或B4中,对TFT基板进行表面氟化疏水处理。

4.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述TFT基板上的像素结构包括三种颜色的子像素构成的多个像素单元;每一像素单元由三种子像素成品字型排列形成正方形结构。

5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。

6.一种印刷型高分辨率显示器件,其特征在于,采用如权利要求1所述的制作方法制成。

7.一种印刷型高分辨率显示器件,其特征在于,采用如权利要求2所述的制作方法制成。

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