[发明专利]一种印刷型高分辨率显示器件及其制作方法在审
申请号: | 201510739686.0 | 申请日: | 2015-11-04 |
公开(公告)号: | CN105336881A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 印刷 高分辨率 显示 器件 及其 制作方法 | ||
本发明公开一种印刷型高分辨率显示器件及其制作方法。本发明在像素bank的制作过程中,对像素发光区域进行全曝光,相同颜色子像素相邻区域进行半曝光,不同颜色子像素相连区域不曝光,通过刻蚀、显影等处理将像素bank图案化,其中相同颜色子像素相连区域的像素bank较薄,定义子像素发光区域,不同颜色子像素相连区域bank较厚,定义印刷工艺中的墨水沉积区域,从而成倍的增大墨水的沉积区域,可以有效减小各子像素的面积,结合像素bank表面疏水处理,实现印刷型高分辨显示器的制作。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种印刷型高分辨率显示器件及其制作方法。
背景技术
采用溶液加工制作OLED以及QLED显示器的方法,由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。其中,印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
在印刷工艺中,由于受设备精度以及液滴尺寸的影响,对于传统的RGB Stripe(RGB条状)排列的像素结构,很难实现高分辨率显示器件的制备。当显示器件的分辨率达到200 ppi时,各子像素的宽度会减小到42μm,同时由于像素界定层的存在,子像素的真实宽度会进一步减小到35μm左右,而对于10 pL体积的墨水,其直径就达27μm。如果再进一步提高分辨率,子像素尺寸会进一步减小,所以就很难控制各子像素内墨水相互独立而不溢出像素。
中国专利(CN 104009066A)中公开了一种像素排布结构,如图1所示,该像素排布结构是由像素单元100排列组成,通过将相连像素的子像素共用Mask(掩膜)上的开口,从而有效提高显示器件的分辨率。但是,在印刷工艺中,单纯的引入这种像素排布结构,随着分辨率的增大,各子像素内的墨水还是会因像素尺寸变小而溢出像素坑,与相邻不同颜色的子像素发生颜色串扰,引起显示器件显示效果下降,因此在印刷工艺中直接应用这种结构,还是无法减小子像素的尺寸同时保持不同颜色子像素间沉积墨水的相互独立,因此这种像素结构无法实现高分辨率显示器的印刷工艺的制作。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种印刷型高分辨率显示器件及其制作方法,旨在解决现有的印刷工艺难以进一步提高显示器分辨率的问题。
本发明的技术方案如下:
一种印刷型高分辨率显示器件的制作方法,其中,包括步骤:
A1、在具有图案化底电极的TFT基板上形成一层用于制作像素bank的薄膜层,然后在薄膜层上形成一层光阻层;
A2、通过曝光掩膜对光阻层进行曝光,其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光,随后进行显影以将光阻层图案化;
A3、通过光阻掩膜对薄膜层进行刻蚀,将全曝光区域全部刻蚀至露出像素电极,将半曝光区域部分刻蚀至残留部分薄膜层,未曝光区域未被刻蚀,随后剥离光阻层,从而形成所需的厚度不一的像素bank;
A4、对完成上述步骤的TFT基板进行清洗,随之对其进行表面疏水处理,形成疏水的像素bank表面;
A5、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件,最后沉积电极,并对器件进行封装。
一种印刷型高分辨率显示器件的制作方法,其中,包括步骤:
B1、在具有图案化底电极的TFT基板上形成一层用于制作像素bank的光阻层;
B2、通过曝光掩膜对光阻层进行曝光,其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择