[发明专利]半导体集成电路

摘要

一种半导体集成电路。第一有源区域和第二有源区域采用不同类型的杂质掺杂，沿着第一方向延伸并且在第二方向上彼此分隔开。位于第一有源区域以及隔离层的第一有源区域和第二有源区域之间的第一部分上的第一栅极结构和第三栅极结构沿着第二方向延伸并且在第一方向彼此分隔开。位于第二有源区域和第一部分上的第二栅极结构和第四栅极结构沿着第二方向延伸并且在第一方向上彼此分隔开，第二栅极结构在第二方向上与第一栅极结构面对并且分隔开，第四栅极结构在第二方向上与第三栅极结构面对并且分隔开。第一接触件至第四接触件分别位于第一栅极结构至第四栅极结构的一部分上。第一接触件和第四接触件彼此电连接，第二接触件和第三接触件彼此电连接。

主权项

1.一种半导体集成电路，所述半导体集成电路包括：第一有源区域和第二有源区域，通过位于基底上的隔离层限定，第一有源区域和第二有源区域采用不同类型的杂质掺杂，第一有源区域和第二有源区域沿着第一方向延伸，第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此分隔开，第二方向与第一方向基本垂直，其中，第一有源区域的第一部分在第二方向上具有第一宽度，第一有源区域的第二部分在第二方向上具有第二宽度，第一宽度不同于第二宽度；第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构，其中，第一栅极结构和第三栅极结构位于第一有源区域以及隔离层的在第一有源区域和第二有源区域之间的第一部分上，第一栅极结构和第三栅极结构沿着第二方向延伸，第一栅极结构和第三栅极结构在第一方向彼此分隔开，第二栅极结构和第四栅极结构位于第二有源区域以及隔离层的第一部分上，第二栅极结构和第四栅极结构沿着第二方向延伸，第二栅极结构和第四栅极结构在第一方向上彼此分隔开，第二栅极结构在第二方向上与第一栅极结构面对并且分隔开，第四栅极结构在第二方向上与第三栅极结构面对并且分隔开；以及第一接触件、第二接触件、第三接触件和第四接触件，第一接触件至第四接触件位于第一有源区域与第二有源区域之间，第一接触件位于第一栅极结构的一部分上，第二接触件位于第二栅极结构的一部分上，第三接触件位于第三栅极结构的一部分上，第四接触件位于第四栅极结构的一部分上，其中，第一接触件和第四接触件彼此电连接，第二接触件和第三接触件彼此电连接，第一接触件和第三接触件在第二方向上与第一有源区域分隔开基本相同的距离，第二接触件和第四接触件在第二方向上与第二有源区域分隔开基本相同的距离。