[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，所述半导体集成电路包括：

第一有源区域和第二有源区域，通过位于基底上的隔离层限定，第一有源区域和第二有源区域采用不同类型的杂质掺杂，第一有源区域和第二有源区域沿着第一方向延伸，第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此分隔开，第二方向与第一方向基本垂直，其中，第一有源区域的第一部分在第二方向上具有第一宽度，第一有源区域的第二部分在第二方向上具有第二宽度，第一宽度不同于第二宽度；

第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构，其中，第一栅极结构和第三栅极结构位于第一有源区域以及隔离层的在第一有源区域和第二有源区域之间的第一部分上，第一栅极结构和第三栅极结构沿着第二方向延伸，第一栅极结构和第三栅极结构在第一方向彼此分隔开，第二栅极结构和第四栅极结构位于第二有源区域以及隔离层的第一部分上，第二栅极结构和第四栅极结构沿着第二方向延伸，第二栅极结构和第四栅极结构在第一方向上彼此分隔开，第二栅极结构在第二方向上与第一栅极结构面对并且分隔开，第四栅极结构在第二方向上与第三栅极结构面对并且分隔开；以及

第一接触件、第二接触件、第三接触件和第四接触件，第一接触件至第四接触件位于第一有源区域与第二有源区域之间，第一接触件位于第一栅极结构的一部分上，第二接触件位于第二栅极结构的一部分上，第三接触件位于第三栅极结构的一部分上，第四接触件位于第四栅极结构的一部分上，其中，第一接触件和第四接触件彼此电连接，第二接触件和第三接触件彼此电连接，第一接触件和第三接触件在第二方向上与第一有源区域分隔开基本相同的距离，第二接触件和第四接触件在第二方向上与第二有源区域分隔开基本相同的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中：

第一有源区域用p型杂质掺杂；以及

第二有源区域用n型杂质掺杂。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，第一接触件和第四接触件通过位于第一接触件和第四接触件上的第一下布线彼此电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，所述半导体集成电路还包括：

第二下布线，位于第二接触件上；

第三下布线，位于第三接触件上；

第一通孔，位于第二下布线上；

第二通孔，位于第三下布线上；以及

第一上布线，位于第一通孔和第二通孔两者上，其中，第二接触件和第三接触件通过第二下布线、第三下布线、第一通孔、第二通孔以及第一上布线彼此电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路，所述半导体集成电路还包括第一杂质区域、第二杂质区域、第三杂质区域和第四杂质区域，其中：

第一杂质区域和第三杂质区域分别在第一栅极结构的相对侧处位于第一有源区域的上部处，第一杂质区域和第三杂质区域用第一导电类型的杂质掺杂，

第二杂质区域和第四杂质区域分别在第二栅极结构的相对侧处位于第二有源区域的上部处，第二杂质区域和第四杂质区域用第二导电类型的杂质掺杂。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路，所述半导体集成电路还包括：第五接触件和第六接触件，分别位于第一杂质区域和第二杂质区域上，第五接触件和第六接触件彼此电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体集成电路，所述半导体集成电路还包括：

第一下布线，位于第五接触件上；

第二下布线，位于第六接触件上；

第一通孔，位于第一下布线上；

第二通孔，位于第二下布线上；以及

第一上布线，位于第一通孔和第二通孔两者上，其中，第五接触件和第六接触件通过第一下布线、第二下布线、第一通孔、第二通孔和第一上布线彼此电连接。

8.根据权利要求5所述的半导体集成电路，所述半导体集成电路还包括：第五接触件和第六接触件，分别位于第三杂质区域和第四杂质区域上，第五接触件和第六接触件彼此电连接。