[发明专利]薄膜晶体管及阵列基板的制作方法在审
| 申请号： | 201510718317.3 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105206678A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 苏同上;杜生平;刘宁;王东方;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 鞠永善 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了薄膜晶体管及阵列基板的制作方法，属于液晶显示技术领域。所述方法包括：通过构图工艺形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层；栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；在氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层，倒梯形的溶解层溶于有机溶剂；在氧化物有源层、栅绝缘层和倒梯形的溶解层上沉积源漏层，倒梯形的溶解层的厚度大于源漏层的厚度；使用有机溶剂溶解去除倒梯形的溶解层以及其上的源漏层，形成源极和漏极。本发明通过将源漏层的除源极和漏极所在区的其它的部分沉积在倒梯形的溶解层上，有效解决了使用刻蚀工艺形成源极和漏极的过程中而导致氧化物有源层受到破坏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：通过构图工艺形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂；在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度；使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极和漏极。
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