[发明专利]薄膜晶体管及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

通过构图工艺形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；

在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂；

在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度；

使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，沉积在所述倒梯形的溶解层之上的所述源漏层与沉积在所述倒梯形的溶解层之外的所述源漏层断开。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：

在所述氧化物有源层上形成溶解层；

对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，

对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述掩膜曝光的过程中，

所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分受到的掩膜曝光的强度越强，使得所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分产生的酸性物质越多。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，包括：

对所述薄膜晶体管进行反转烘干，在反转烘干过程中所述溶解层内的溶解材料发生交联反应，且所述第一区域内的溶解层在所述酸性物质的作用下发生所述交联反应的强度强于所述其他区域内的溶解层且在反转烘干后所述第一区域内的溶解层的溶解材料的分子密度和硬度都高于所述其他区域的溶解层；

对反转烘干后的所述薄膜晶体管进行泛曝光，在泛曝光的过程中所述其它区域内的溶解层的溶解材料的分子链断开；

对泛曝光后的所述溶解层进行显影处理，使所述其他区域的溶解层溶于显影液内以及使所述第一区域内的溶解层变成倒梯形的溶解层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

在所述反转烘干过程中，在所述第一区域内的溶解层中的酸性物质作用下，所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分发生的交联反应的强度越强，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分的溶解材料的分子密度和硬度越高；

在所述泛曝光的过程中，所述第一区域内的分子密度和硬度越低的溶解材料中的分子越容易发生分子链断开，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的溶解材料发生分子链断开的分子越少；

在所述显影的过程中，所述第一区域内的发生分子链断开越少的溶解材料越难溶解于显影液，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的溶解材料越难溶于所述显影液。

7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光之前还包括：

对所述溶解层进行前烘，所述前烘去除所述溶解层中的溶剂。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成栅极及栅线、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；

在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂；

在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度，使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极及数据线和漏极；

在所述源极、所述氧化物有源层和所述漏极上形成钝化层；

在所述钝化层上形成像素电极。