[发明专利]薄膜晶体管及阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及薄膜晶体管及阵列基板的制作方法。

背景技术

氧化物薄膜晶体管阵列基板中包括背沟道刻蚀型TFT(Thinfilmtransistor，薄膜晶体管)阵列基板、共面型TFT阵列基板和刻蚀阻挡型TFT阵列基板等，其中，背沟道刻蚀型TFT阵列基板和共面型TFT阵列基板因其结构简单而受到了广泛的应用。

背沟道刻蚀型TFT阵列基板的结构为依次在衬底基板上沉积栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源极、漏极、钝化层和像素电极，形成源极和漏极时，需要先在氧化物有源层上沉积源漏层，然后通过一次构图工艺形成源极和漏极。

共面型TFT阵列基板的结构为依次在衬底基板上沉积栅极、栅绝缘层、源极、漏极、氧化物有源层、钝化层和像素电极，沉积氧化物有源层时，需要先在源极、栅绝缘层和漏极上沉积金属氧化物层，通过一次构图工艺形成氧化物有源层。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

在背沟道刻蚀型TFT阵列基板形成源极和漏极的构图工艺过程中，需要将源漏层的除源极和漏极所在区的其它的部分刻蚀掉，刻蚀的过程会使用到刻蚀液或者刻蚀气体，而刻蚀液或者刻蚀气体会破坏氧化物有源层的特性，使背沟道刻蚀型TFT阵列基板的漏电流增大，降低了背沟道刻蚀型TFT阵列基板的性能。

在共面型TFT阵列基板形成氧化物有源层的构图工艺过程中，需要将金属氧化物层的除氧化物有源层所在区的其他部分刻蚀掉，采用湿法刻蚀的过程中会使用到酸性刻蚀液，酸性刻蚀液会腐蚀源极和漏极图案的金属布线，会延长信号的传输时间。

发明内容

为了解决现有技术的问题，一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，该薄膜晶体管的制作方法包括：

通过构图工艺形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；

在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂；

在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度；

使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极和漏极。

可选地，沉积在所述倒梯形的溶解层之上的所述源漏层与沉积在所述倒梯形的溶解层之外的所述源漏层断开。

可选地，所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：

在所述氧化物有源层上形成溶解层；

对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上；

对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层。

可选地，在所述掩膜曝光的过程中，

所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分受到的掩膜曝光的强度越强，使得所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分产生的酸性物质越多。

可选地，所述对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，包括：

对所述薄膜晶体管进行反转烘干，在反转烘干过程中所述溶解层内的溶解材料发生交联反应，且所述第一区域内的溶解层在所述酸性物质的作用下发生交联反应的强度强于所述其他区域内的溶解层，且在反转烘干后所述第一区域内的溶解层的溶解材料的分子密度和硬度都高于所述其他区域的溶解层；

对反转烘干后的所述薄膜晶体管进行泛曝光，在泛曝光的过程中所述其它区域内的溶解层的溶解材料的分子链断开；

对泛曝光后的所述溶解层进行显影处理，使所述其他区域的溶解层溶于显影液内以及使所述第一区域内的溶解层变成倒梯形的溶解层。

可选地，在所述反转烘干过程中，在所述第一区域内的溶解层中的酸性物质作用下，所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分发生的交联反应的强度越强，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分的溶解材料的分子密度和硬度越高；

在所述泛曝光的过程中，所述第一区域内的分子密度和硬度越低的溶解材料中的分子越容易发生分子链断开，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的溶解材料发生分子链断开的分子越少；