[发明专利]电阻式存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510716402.6 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105575424B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 尹治元;朴贤国;边大锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽;贾洪菠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开涉及电阻式存储器件及其操作方法。操作存储器件的方法包括：通过在第一置位写间隔期间向连接至所选择的存储单元的第一信号线施加第一电压和向连接至所选择的存储单元的第二信号线施加第二电压，来向所选择的存储单元施加预写电压，其中第一电压的电平高于第二电压的电平；并且在此之后，通过在第二置位写间隔期间向第一信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作存储器件的方法，该存储器件包括存储单元阵列中的连接至第一信号线和第二信号线的所选择的存储单元，所述方法包括：通过在第一置位写间隔期间向第一信号线施加第一电压和向第二信号线施加第二电压来向所选择的存储单元施加预写电压，其中第一电压的电平高于第二电压的电平；并且在此之后，通过在第二置位写间隔期间向第一信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压。
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