[发明专利]电阻式存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种操作存储器件的方法，该存储器件包括存储单元阵列中的连接至第一信号线和第二信号线的所选择的存储单元，所述方法包括：

通过在第一置位写间隔期间向第一信号线施加第一电压和向第二信号线施加第二电压来向所选择的存储单元施加预写电压，其中第一电压的电平高于第二电压的电平；并且在此之后，

通过在第二置位写间隔期间向第一信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中，第二置位写间隔长于第一置位写间隔。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

在向所选择的存储单元施加预写电压之后，向第二信号线供应写电流脉冲。

4.如权利要求3所述的方法，其中，写电流脉冲的供应是在第一置位写间隔的至少一部分期间以及在第二置位写间隔的至少一部分期间执行的。

5.如权利要求3所述的方法，其中，写电流脉冲的供应是至少部分地通过在第二置位写间隔期间限制经过第二信号线的电流的流动来执行的。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

测量存储器件中的温度；以及

响应于所测量的温度来定义预写电压的电平和第一置位写间隔的持续时间中的至少一个。

7.如权利要求6所述的方法，其中，随着所测量的温度增大，预写电压的电平减小。

8.如权利要求6所述的方法，其中，随着所测量的温度增大，第一置位写间隔的持续时间减小。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

根据所选择的存储单元在存储单元阵列中的物理位置，变化预写电压的电平。

10.如权利要求9所述的方法，其中，随着所选择的存储单元与向第一信号线施加第一电压的接入点之间的距离增大，增大预写电压的电平。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

根据所选择的存储单元在存储单元阵列中的物理位置，变化第一电压和第三电压中的至少一个的施加转换速率。

12.如权利要求11所述的方法，其中，随着所选择的存储单元与向第一信号线施加第一电压和第三电压的接入点之间的距离增大，增大转换速率。

13.如权利要求1所述的方法，还包括：

通过在继第二置位写间隔之后的第三置位写间隔期间向第一信号线施加第四电压来向所选择的存储单元施加第三写电压，其中，第四电压具有高于第二电压的电平并且低于第三电压的电平的电平。

14.如权利要求1所述的方法，还包括：

通过在继第二置位写间隔之后的第三置位写间隔期间向第一信号线施加第五电压来向所选择的存储单元施加第四写电压，其中，第五电压具有高于第三电压的电平并且低于第一电压的电平的电平。

15.一种操作存储器件的方法，该存储器件包括存储单元阵列中的连接至第一信号线和第二信号线的所选择的存储单元，所述存储单元阵列包括排列在第一区域和第二区域中的多个存储单元，所述方法包括：

通过在第一置位写间隔期间向第一信号线施加第一电压和向第二信号线施加第二电压来向所选择的存储单元施加具有定义的电平的预写电压脉冲，其中第二电压的电平低于第一电压的电平；并且在此之后，

通过在第二置位写间隔期间向第二信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压；以及

根据所选择的存储单元在第一区域或者第二区域中的布置，来定义预写电压脉冲的电平和第一置位写间隔的持续时间中的至少一个。