[发明专利]电阻式存储器件及其操作方法

说明书

本公开涉及电阻式存储器件及其操作方法。操作存储器件的方法包括：通过在第一置位写间隔期间向连接至所选择的存储单元的第一信号线施加第一电压和向连接至所选择的存储单元的第二信号线施加第二电压，来向所选择的存储单元施加预写电压，其中第一电压的电平高于第二电压的电平；并且在此之后，通过在第二置位写间隔期间向第一信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年10月29日提交的韩国专利申请第10-2014-0148455号的权益，其主题通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及存储器件，并且更具体地，涉及电阻式存储器件以及操作电阻式存储器件的方法。

背景技术

由于对于大容量和低功耗的存储器件的需求已经增加，对于不要求刷新操作的诸如非易失性存储器件的下一代存储器件的研究已经在积极地进行。这样的下一代存储器件被期望具有动态随机存取存储器(DRAM)的高集成度、快闪存储器的非易失性数据存储能力、和静态RAM(SRAM)的高数据存取能力。相变RAM(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)、和电阻式RAM(RRAM)已经作为下一代存储器件中的一些被讨论。

发明内容

本发明构思的实施例提供了能够改进组成性存储单元的耐用性、改进跨越存储单元阵列中的存储单元分布的存储单元的操作的存储器件。本发明构思的实施例还提供操作所述存储器件的方法，其中，在向所选择的存储单元写入数据期间潜在地生成的浪涌电流被抑制。

根据本发明构思的一方面，提供了操作存储器件的方法，该存储器件包括存储单元阵列中的连接至第一信号线和第二信号线的所选择的存储单元。所述方法包括：通过在第一置位写间隔期间向第一信号线施加第一电压和向第二信号线施加第二电压来向所选择的存储单元施加预写电压，其中第一电压的电平高于第二电压的电平，并且在此之后，通过在第二置位写间隔期间向第一信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压。

根据本发明构思的另一个方面，提供了操作存储器件的方法，该存储器件包括存储单元阵列中的连接至第一信号线和第二信号线的所选择的存储单元，所述存储单元阵列包括排列在第一区域和第二区域中的多个存储单元。所述方法包括：在第一置位写间隔期间向所选择的存储单元施加具有通过向第一信号线施加第一电压和向第二信号线施加第二电压来定义的电平的预写电压脉冲，其中第二电压的电平低于第一电压的电平；并且在此之后，通过在第二置位写间隔期间向第二信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压；以及根据所选择的存储单元在第一区域或者第二区域中的布置，来定义预写电压脉冲的电平和第一置位写间隔的持续时间中的至少一个。

根据本发明构思的另一个方面，提供了一种操作存储器件的方法，该存储器件包括存储单元阵列中的分别排列在第一信号线与第二信号线交叉的点处的多个存储单元当中的所选择的存储单元。所述方法包括：向所选择的存储单元施加预写电压，并且向所选择的存储单元供应电流脉冲，其中，将预写电压施加到所选择的存储单元开始所述存储单元的电阻状态的改变；以及向所选择的存储单元施加具有不同于预写电压的电平的电平的写电压，其中，相对于向所选择的存储单元施加预写电压而言，向所选择的存储单元施加写电压将抑制经过所选择的存储单元的电流的量。

附图说明

可以在考虑以下结合附图的详细描述的情况下理解本发明构思的实施例，其中：

图1是示出根据本发明构思的实施例的包括电阻式存储器件的存储系统的框图；

图2是进一步示出图1的存储器件的框图；