[发明专利]一种背照式影像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510715481.9 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105390516A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 胡胜;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式影像传感器及其制备方法，通过在进行金属栅格底端粘合层，金属层镀膜制程之后；于金属层之上沉积抗反射层，最后通过图形和刻蚀形成上表面具有抗反射层的若干金属栅格，该抗反射层可以降低金属栅格的反射率，进而达到降低背照式图像传感器的噪音的效果，且该工艺简单易行，能够适应于不同的金属栅格工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背照式 影像 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，具有正面和相对所述正面的背面，且所述半导体衬底中设置有若干光电二极管；若干金属栅格，设置于所述半导体衬底的背面上方，以防止所述光电二极管之间的光的串扰；其中，若干所述金属栅格的上表面均设置有抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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