[发明专利]一种背照式影像传感器及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式影像传感器及其制备方法。

背景技术

随着半导体技术的快速发展，半导体器件用于各种电子应用，诸如个人计算机、移动电话、数码相机和其他电子设备。其中，背照式(BSI)图像传感器是光从衬底的背面而不是正面进入衬底的CMOS图像传感器。因为减少了光反射，BSI传感器能够比前照式传感器捕捉更多的图像信号。目前，背照式影像传感器作为摄像头芯片的一种，已经占据的绝大部分市场，其中的背面金属栅格层的工艺优化一直在被研究；背照式影像传感器金属栅格由于具有不透光特性，从而可以防止不同像素(光电二极管)之间的光的串扰；但是由于金属的反射性很好，因此光线容易被反射，再经过模组的光学原件会被反射回来，造成噪音，这是本领域技术人员所不愿意看到的。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明公开了一种背照式影像传感器，该背照式影像传感器包括：

半导体衬底，具有正面和相对所述正面的背面，且所述半导体衬底中设置有若干光电二极管；

若干金属栅格，设置于所述半导体衬底的背面上方，以防止所述光电二极管之间的光的串扰；

其中，若干所述金属栅格的上表面均设置有抗反射层。

上述的背照式影像传感器，其中，所述抗反射层的材质为氮氧化硅或氮化钛。

上述的背照式影像传感器，其中，所述金属栅格包括底端粘合层和覆盖所述底端粘合层上表面的金属层。

上述的背照式影像传感器，其中，所述底端粘合层的材质为氮化钛。

上述的背照式影像传感器，其中，所述金属层的材质为铝、铜或钨。

本发明还公开了一种背照式影像传感器的制备方法，该方法包括如下步骤：

提供一具有正面和背面的半导体衬底，且所述半导体衬底中形成有若干光电二极管；

于所述半导体衬底的背面上方形成若干金属栅格，以防止所述光电二极管之间的光的串扰；

其中，若干所述金属栅格的上表面均具有抗反射层。

上述的背照式影像传感器的制备方法，其中，所述抗反射层的材质为氮氧化硅或氮化钛。

上述的背照式影像传感器的制备方法，其中，形成上表面均具有所述抗反射层的若干所述金属栅格的方法包括：

按照从下至上的顺序依次于所述半导体衬底的背面上方形成底端粘合层、金属层；

于所述金属层的上表面形成抗反射层；

于所述抗反射层上表面形成一层光刻胶，并对所述光刻胶进行图案化工艺，以形成若干具有栅极图形的光阻；

以所述若干具有栅极图形的光阻为掩膜，按照从上至下的顺序依次刻蚀抗反射层、金属层和底端粘合层以于所述半导体衬底的背面上方形成若干上表面均具有所述抗反射层的所述金属栅格。

上述的背照式影像传感器的制备方法，其中，所述底端粘合层的材质为氮化钛。

上述的背照式影像传感器的制备方法，其中，所述金属层的材质为铝、铜或钨。

上述发明具有如下优点或者有益效果：

本发明公开了一种背照式影像传感器及其制备方法，通过在进行金属栅格底端粘合层，金属层镀膜制程之后；于金属层之上沉积抗反射层，最后通过图形和刻蚀形成上表面具有抗反射层的若干金属栅格，该抗反射层可以降低金属栅格的反射率，进而降低背照式图像传感器的噪音，且该工艺简单易行，能够适应于不同的金属栅格工艺。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1是本发明实施例中背照式影像传感器的结构示意图；

图2是本发明实施例中背照式影像传感器的制备方法的流程图；

图3～7是本发明实施例中背照式影像传感器的制备方法的流程结构示意图；

图8是上表面具有抗反射层的金属栅格和上表面不具有抗反射层的金属栅格的反射率数据对比示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。

实施例一：