[发明专利]一种背照式影像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种背照式传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底，具有正面和相对所述正面的背面，且所述半导体衬底中设置有若干光电二极管；

若干金属栅格，设置于所述半导体衬底的背面上方，以防止所述光电二极管之间的光的串扰；

其中，若干所述金属栅格的上表面均设置有抗反射层。

2.如权利要求1所述的背照式传感器，其特征在于，所述抗反射层的材质为氮氧化硅或氮化钛。

3.如权利要求1所述的背照式传感器，其特征在于，所述金属栅格包括底端粘合层和覆盖所述底端粘合层上表面的金属层。

4.如权利要求1所述的背照式传感器，其特征在于，所述底端粘合层的材质为氮化钛。

5.如权利要求1所述的背照式传感器，其特征在于，所述金属层的材质为铝、铜或钨。

6.一种背照式传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一具有正面和背面的半导体衬底，且所述半导体衬底中形成有若干光电二极管；

于所述半导体衬底的背面上方形成若干金属栅格，以防止所述光电二极管之间的光的串扰；

其中，若干所述金属栅格的上表面均具有抗反射层。

7.如权利要求6所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述抗反射层的材质为氮氧化硅或氮化钛。

8.如权利要求6所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，形成上表面均具有所述抗反射层的若干所述金属栅格的方法包括：

按照从下至上的顺序依次于所述半导体衬底的背面上方形成底端粘合层、金属层；

于所述金属层的上表面形成抗反射层；

于所述抗反射层上表面形成一层光刻胶，并对所述光刻胶进行图案化工艺，以形成若干具有栅极图形的光阻；

以所述若干具有栅极图形的光阻为掩膜，按照从上至下的顺序依次刻蚀抗反射层、金属层和底端粘合层以于所述半导体衬底的背面上方形成若干所述金属栅格。

9.如权利要求8所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述底端粘合层的材质为氮化钛。

10.如权利要求8所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述金属层的材质为铝、铜或钨。