[发明专利]溅射装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201510711965.6 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106609352B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 杨玉杰 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及溅射装置及其操作方法。本发明实施例提供一种溅射设备，其包括：磁控管结构体，被配置为按照预定的侵蚀率分布侵蚀标靶，所述预定的侵蚀率分布以所述磁控管结构体的中心轴为对称轴对称分布，并且包括：所述中心轴附近的第一峰值；和位于距离所述中心轴约0.7至0.75标靶半径的第二峰值。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射装置，其包括：磁控管结构体，被配置为按照预定的侵蚀率分布侵蚀标靶，所述预定的侵蚀率分布以所述磁控管结构体的中心轴为对称轴对称分布，并且包括：所述中心轴附近的第一峰值；以及位于距离所述中心轴0.7至0.75标靶半径的第二峰值；其中，所述第一峰值和所述第二峰值的值相等，并且为整个所述标靶半径范围内的侵蚀率的最大值。
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