[发明专利]溅射装置及其操作方法

权利要求书

1.一种溅射装置，其包括：

磁控管结构体，被配置为按照预定的侵蚀率分布侵蚀标靶，所述预定的侵蚀率分布以所述磁控管结构体的中心轴为对称轴对称分布，并且包括：

所述中心轴附近的第一峰值；

以及位于距离所述中心轴0.7至0.75标靶半径的第二峰值；

其中，所述第一峰值和所述第二峰值的值相等，并且为整个所述标靶半径范围内的侵蚀率的最大值。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述磁控管结构体包括：具有第一磁性的外部磁极和具有第二磁性的内部磁极，所述第二磁性与所述第一磁性相反，所述内部磁极被所述外部磁极包围。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述磁控管结构体的所述外部磁极和所述内部磁极按照预定的标准化环路长度分布排列，所述预定的标准化环路长度分布包括：在0.4标靶半径内标准化环路长度恒定的部分。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述标准化环路长度分布在0.4标靶半径附近，由一个恒定的轮廓转变为递增轮廓。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述递增轮廓在0.4标靶半径以上包括非线性曲线。

6.根据权利要求2所述的装置，其中，所述内部磁极包括指向所述中心轴的终极部。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述磁控管结构体在边界之外并正切于以所述中心轴为圆心的圆周的部分大于所述磁控管结构体在所述边界之内并正切于所述圆周的部分，所述边界包围了所述内部磁极的终极部和所述外部磁极的终极部。

8.一种溅射装置，其包括：

磁控管结构体包括：

边界外的第一部分；以及

所述边界内的第二部分；

所述第一部分中正切于以中心轴为圆心的圆周的量大于所述第二部分中正切于以所述圆周的量；所述磁控管结构体被配置为按照预定的侵蚀率分布侵蚀标靶；所述分布包括：

在所述磁控管结构体中心轴附近的第一峰值；和

位于距离所述中心轴0.7至0.75标靶半径的第二峰值；

其中，所述第一峰值和所述第二峰值的值相等，并且为整个所述标靶半径范围内的侵蚀率的最大值。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述分布包括在距离所述中心轴0.5标靶半径附近的第三峰值。

10.根据权利要求8所述的装置，其中，所述磁控管结构体包括封闭带状的具有第一磁性的外部磁极和被所述外部磁极包围的具有第二磁性的内部磁极，所述第二磁性与所述第一磁性相反。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述内部磁极包括接近所述中心轴的终极部。

12.根据权利要求10所述的装置，其中，所述内部磁极与外部磁极之间的距离恒定。

13.根据权利要求11所述的装置，其中，所述边界包括包围所述内部磁极的所述终极部的圆形。

14.根据权利要求8所述的装置，其中，所述第二部分中正切于圆周的量在所述边界之内为常量。

15.根据权利要求13所述的装置，其中，所述第一部分绕所述中心轴至少扫过270度。