[发明专利]溅射装置及其操作方法

说明书

本申请涉及溅射装置及其操作方法。本发明实施例提供一种溅射设备，其包括：磁控管结构体，被配置为按照预定的侵蚀率分布侵蚀标靶，所述预定的侵蚀率分布以所述磁控管结构体的中心轴为对称轴对称分布，并且包括：所述中心轴附近的第一峰值；和位于距离所述中心轴约0.7至0.75标靶半径的第二峰值。

技术领域

本发明涉及一种溅射装置及其操作方法。

背景技术

溅射是制造半导体集成芯片时用于形成金属及相关物质沉积层的通用生产流程，同时也用于在其他类型的面板上形成被覆材料沉积层。

溅射装置包括一个携带相对磁极永磁体的磁控管。该磁控管包括多种形式或模式以便在芯片或其他类型的面板上形成合适的金属或其他材料沉积。

发明内容

本发明实施例提供一种溅射装置，其包括磁控管结构体，被配置为按照预定的侵蚀率分布侵蚀标靶，所述预定的侵蚀率分布以所述磁控管结构体的中心轴为对称轴对称分布，并且包括：所述中心轴附近的第一峰值；以及位于距离所述中心轴约0.7至0.75标靶半径的第二峰值。

在本发明一些实施例中，所述磁控管结构体包括：具有第一磁性的外部磁极和具有第二磁性的内部磁极，所述第二磁性与所述第一磁性相反，所述内部磁极被所述外部磁极包围。

在本发明一些实施例中，所述磁控管结构体的所述外部磁极和所述内部磁极按照预定的标准化环路长度分布排列，所述预定的标准化环路长度分布包括：在大约0.4标靶半径内标准化环路长度大体恒定的部分。

在本发明一些实施例中，所述标准化环路长度分布在0.4标靶半径附近，由一个大体恒定的轮廓转变为递增轮廓。

在本发明一些实施例中，所述内部磁极包括指向所述中心轴的终极部。

在本发明一些实施例中，所述递增轮廓在0.4标靶半径以上包括非线性曲线。

在本发明一些实施例中，所述磁控管结构体在边界之外并正切于以所述中心轴为圆心的圆周的部分大体上大于所述磁控管结构体在所述边界之内并正切于所述圆周的部分，所述边界包围了所述内部磁极的终极部和所述外部磁极的终极部

本发明实施例提供一种溅射装置，其包括磁控管结构体。所述磁控管结构体包括：边界外的第一部分；以及所述边界内的第二部分；所述第一部分中正切于以所述中心轴为圆心的圆周的量大体上大于所述第二部分中正切于以所述圆周的量；所述磁控管结构体被配置为按照预定的侵蚀率分布侵蚀标靶。所述分布包括：在所述磁控管结构体中心轴附近的第一峰值；和位于距离所述中心轴大约0.7至0.75标靶半径的第二峰值。

在本发明一些实施例中，所述分布包括在距离所述中心轴大约0.5标靶半径附近的第三峰值

在本发明一些实施例中，所述磁控管结构体包括封闭带状的具有第一磁性的外部磁极和被所述外部磁极包围的具有第二磁性的内部磁极，所述第二磁性与所述第一磁性相反。

在本发明一些实施例中，所述内部磁极包括在所述中心轴附近的终极部。

在本发明一些实施例中，所述内部磁极与所述外部磁极之间的距离大体恒定。

在本发明一些实施例中，所述边界包括包围所述内部磁极的所述终极部的圆形。

在本发明一些实施例中，所述第二部分中正切于圆周的量在所述边界之内近似为常量。

在本发明一些实施例中，所述第一部分绕所述中心轴至少扫过270度。