[发明专利]一种低温两步法脱除有机模板剂的方法及实现该方法的装置在审
| 申请号： | 201510708752.8 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105217649A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 郎林;杨文申;阴秀丽;吴创之 | 申请（专利权）人： | 中国科学院广州能源研究所 |
| 主分类号： | C01B39/04 | 分类号： | C01B39/04;C01B37/00 |
| 代理公司： | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人： | 莫瑶江 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温两步法脱除有机模板剂的方法，包括如下步骤：1)将含有机模板剂的高硅多孔材料放置于气氛炉中，将气氛炉内抽真空，通氢气至常压，以1.0～10℃/min升温速率升至300～350℃，恒温使有机模板剂充分分解；2)保持步骤1恒温温度不变，炉内抽真空，打开空气调节阀门，通入空气至常压，对高硅多孔材料进行空气恒温氧化处理；3)维持0～0.1m3/h的空气流速，终止气氛炉的升温程序，自然降温至常温，关闭空气调节阀打开气氛炉的密封组件，得到不含有机模板剂的高硅多孔材料。本发明工艺条件温和、操作简单、成本低廉、适用性广，不仅有利于高硅多孔材料的规划化生产，而且有利于多孔无机膜分离技术的产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 步法 脱除 有机 模板 方法 实现 装置 | ||
【主权项】：
一种低温两步法脱除有机模板剂的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)先将含有机模板剂的高硅多孔材料放置于气氛炉中，然后将所述气氛炉内抽真空，缓慢通入氢气至常压后，以1.0～10℃/min升温速率升至300～350℃，并恒温使有机模板剂充分分解；2)所述步骤(1)完成之后，保持步骤1恒温温度不变，再将炉内抽真空，然后打开空气调节阀门，缓慢通入干燥空气至常压后，对所述高硅多孔材料进行空气恒温氧化处理；3)维持0～0.1m3/h的恒定空气流速，终止气氛炉的升温程序，使其自然降温至常温，然后关闭空气调节阀并打开气氛炉的密封组件，最终得到不含有机模板剂的高硅多孔材料。
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