[发明专利]一种低温两步法脱除有机模板剂的方法及实现该方法的装置

权利要求书

1.一种低温两步法脱除有机模板剂的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)先将含有机模板剂的高硅多孔材料放置于气氛炉中，然后将所述气氛炉内抽真空，缓慢通入氢气至常压后，以1.0～10℃/min升温速率升至300～350℃，并恒温使有机模板剂充分分解；

2)所述步骤(1)完成之后，保持步骤1恒温温度不变，再将炉内抽真空，然后打开空气调节阀门，缓慢通入干燥空气至常压后，对所述高硅多孔材料进行空气恒温氧化处理；

3)维持0～0.1m³/h的恒定空气流速，终止气氛炉的升温程序，使其自然降温至常温，然后关闭空气调节阀并打开气氛炉的密封组件，最终得到不含有机模板剂的高硅多孔材料。

2.根据权利要求1所述的低温两步法脱除有机模板剂的方法，其特征在于，所述步骤1中的高硅多孔材料具有孔径为0.3～30纳米的有序孔道结构，包括硅、氧和铝元素，其中硅元素与铝元素的摩尔比大于50。

3.根据权利要求1或2所述的低温两步法脱除有机模板剂的方法，其特征在于，所述高硅多孔材料为分子筛颗粒或分子筛膜。

4.根据权利要求1所述的低温两步法脱除有机模板剂的方法，其特征在于，所述步骤1中恒温10～20h，恒温过程中氢气流速为0.1～0.5m³/h。

5.根据权利要求1所述的低温两步法脱除有机模板剂的方法，其特征在于，所述步骤2中恒温10～20h，空气流速为0.1～0.5m³/h。

6.根据权利要求1所述的低温两步法脱除有机模板剂的方法，其特征在于，所述步骤1和步骤2中300℃处理的恒温时间为20h，350℃处理的恒温时间为10h。

7.根据权利要求1所述的低温两步法脱除有机模板剂的方法，其特征在于，所述步骤1中气氛炉中的氢气体积浓度不低于50.0％。

8.根据权利要求1所述的低温两步法脱除有机模板剂的方法，其特征在于，提供步骤1中所述氢气的氢气储罐中的氢气体积浓度不低于60.0％，氢气储罐中的气体压力不低于0.5MPa。

9.一种实现权利要求1所述的低温两步法脱除有机模板剂的方法的装置，其特征在于，包括气氛炉、与所述气氛炉通过管道连接的空气压缩机、氢气冷却器和低压氢气储罐，所述氢气冷却器与低压氢气循环泵连接，所述低压氢气储罐与氢气膜分离设备连接。

10.根据权利要求9所述的实现低温两步法脱除有机模板剂的方法的装置，其特征在于，还包括尾气焚烧炉，所述尾气焚烧炉与所述氢气膜分离设备连接。