[发明专利]用于形成接触通孔的方法有效
| 申请号: | 201510690193.2 | 申请日: | 2015-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN105551970B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
| 发明(设计)人: | B·T·陈;S·萨严 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋;江磊 |
| 地址: | 比利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 描述一种用于形成接触通孔的方法,所述方法包括:‑提供基材,所述基材包含包埋于第一介电层中的多个接触件结构,所述接触件毗连所述第一介电层的上表面;‑在所述第一介电层的所述上表面上提供第二介电层;‑通过至少在对应于所述接触结构的位置处使所述第二介电层图案化来提供所述第二介电层中的接触通孔;其中使所述第二介电层图案化包括:使用DSA图案化技术。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 形成 接触 方法 | ||
【主权项】:
一种用于形成接触通孔的方法,所述方法包括:‑提供基材,所述基材包含包埋于第一介电层中的多个接触件结构,所述接触件毗连所述第一介电层的上表面;‑在所述第一介电层的所述上表面上提供第二介电层;‑通过至少在对应于所述接触件结构的位置处使所述第二介电层图案化,来提供所述第二介电层中的接触通孔;其中,所述方法包括‑提供位于所述第二介电层顶部的硬掩模层;‑使所述硬掩模层图案化,由此移除所述硬掩模层的一部分,从而在所述第二介电层中不需要通孔的位置处留下所述硬掩模层的至少上部;‑提供图案化的平坦化模板层,所述图案化的平坦化模板层提供于所述图案化的硬掩模层的顶部,并且如果所述硬掩模层被完全移除以及在所述硬掩模层被完全移除之处,所述图案化的平坦化模板层提供于所述第二介电层上;所述图案化的模板层包含一组开口,所述一组开口均匀地分布在所述模板层中,所述一组开口包含限定数量的具有相同尺寸的开口的亚组,并且所述开口中至少一些对应于所述接触件结构的所述位置;‑进行DSA工艺,包括:在所述模板层的所有所述开口中提供预先确定的嵌段共聚物(BCP)材料,诱导所述开口中所述BCP的聚合物分离,和移除所述开口中的所述BCP的一个构成部分;所述图案化的模板层和所述BCP的第二构成部分一起确定包含DSA开口的图案,并且所述DSA开口定位在对应于所述接触件结构的位置处;和‑采用至少所述第二DSA构成部分作为掩模,在所述第二介电层中蚀刻所述接触通孔。
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