[发明专利]用于形成接触通孔的方法

说明书

描述一种用于形成接触通孔的方法，所述方法包括：‑提供基材，所述基材包含包埋于第一介电层中的多个接触件结构，所述接触件毗连所述第一介电层的上表面；‑在所述第一介电层的所述上表面上提供第二介电层；‑通过至少在对应于所述接触结构的位置处使所述第二介电层图案化来提供所述第二介电层中的接触通孔；其中使所述第二介电层图案化包括：使用DSA图案化技术。

技术领域

本发明涉及一种形成接触通孔的方法，所述接触通孔用于与半导体装置中的接触件结构相接触。

背景技术

定向自组装(DSA)已经成为未来技术节点的高级图案化溶液的一项重要的研究主题，尤其是接触应用。控制接触孔的图案位置精度是很重要的，其应与目前和未来的CMOS集成过程兼容。

本领域中建议的方案是采用模板DSA工艺，由此采用模板层来确定开口，在所述开口中施加嵌段共聚物(BCP)，且其上施用所述DSA工艺。

从而，接触孔图案位置的精确性很大程度上取决于对所涉及的DSA工艺的控制。

当这些结构经DSA图案化时，需要用于提高接触孔或通孔图案位置精确性的方法。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种用于形成接触通孔的方法，所述接触通孔具有提高的图案位置精确性。

根据本发明，使用显示第一独立权利要求的技术特性的方法实现该目的。

公开了一种形成接触通孔(contact vias)(也称为通孔(through hole))的方法，所述方法包括

-提供基材，所述基材包含包埋于第一介电层中的多个接触件结构，所述接触件毗连第一介电层的上表面；

-在第一介电层的上表面上提供第二介电层；

-通过至少在对应于所述接触件结构的位置处使第二介电层图案化来提供第二介电层中的接触通孔；

其中，所述方法包括

-在第二介电层顶部提供硬掩模层；

-使所述硬掩模层图案化，由此移除所述硬掩模层的一部分，从而在第二介电层中不需要通孔的位置处保留所述硬掩模层的至少上部；

-如果硬掩模层被完全移除和硬掩模层被完全移除的位置，则在图案化的硬掩模层的顶部和第二介电层上提供图案化的平坦化模板层；所述图案化的模板层包含一组开口，这组开口均匀地分布在所述模板层内，这组开口包含限定数量的相同尺寸的开口的亚组，优选由限定数量的相同尺寸的开口的亚组构成，并且，所述开口中至少一些对应于(例如包含或围住)所述接触件结构的位置；

-进行DSA工艺，包括：在所述模板层的所有开口中提供预先确定的嵌段共聚物(BCP)材料，诱导所述开口中的BCP的聚合物分离，和移除所述开口中BCP的一个构成部分；所述图案化的模板层和BCP的第二个构成部分一起确定包含DSA开口的图案，其优选均匀地分布于硬掩模层和第二介电层上，并且所述DSA开口定位在对应于所述接触件结构的位置处；和

-采用至少第二DSA构成部分(和，例如，以及所述模板层和/或所述硬掩模层的部分)作为掩模，蚀刻第二介电层中的接触通孔。

所述多个接触件结构可以是/优选是第一介电层中存在的所有接触件结构的预先确定的亚组。事实上，并非所有接触件结构均需要被接触。

相同尺寸的开口是具有基本相同的尺度或体积的开口。优选地，相同尺寸的开口具有相同的尺度，例如，具有相同的深度、宽度和长度。忽略不计因生产制造工艺所致的小的差异时，所述开口优选具有相同的尺度。