[发明专利]用于形成接触通孔的方法有效

专利信息
申请号: 201510690193.2 申请日: 2015-10-22
公开(公告)号: CN105551970B 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: B·T·陈;S·萨严 申请(专利权)人: IMEC非营利协会
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋;江磊
地址: 比利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 形成 接触 方法
【权利要求书】:

1.一种用于形成接触通孔的方法,所述方法包括:

-提供基材,所述基材包含包埋于第一介电层中的多个接触件结构,所述接触件毗连所述第一介电层的上表面;

-在所述第一介电层的所述上表面上提供第二介电层;

-通过至少在对应于所述接触件结构的位置处使所述第二介电层图案化,来提供所述第二介电层中的接触通孔;

其中,所述方法包括:

-提供位于所述第二介电层顶部的硬掩模层;

-使所述硬掩模层图案化,由此移除所述硬掩模层的一部分,从而在所述第二介电层中不需要通孔的位置处留下所述硬掩模层的至少上部;

-提供图案化的平坦化模板层,所述图案化的平坦化模板层提供于所述图案化的硬掩模层的顶部,并且如果所述硬掩模层被完全移除以及在所述硬掩模层被完全移除之处,所述图案化的平坦化模板层提供于所述第二介电层上;所述图案化的模板层包含一组开口,所述一组开口均匀地分布在所述模板层中,所述一组开口包含限定数量的具有相同尺寸的开口的亚组,并且所述开口中至少一些对应于所述接触件结构的所述位置;

-进行DSA工艺,包括:在所述模板层的所有所述开口中提供预先确定的嵌段共聚物材料,诱导所述开口中所述嵌段共聚物的聚合物分离,和移除所述开口中的所述嵌段共聚物的一个构成部分;所述图案化的模板层和被称为第二构成部分的所述嵌段共聚物的另一构成部分一起确定包含DSA开口的图案,并且所述DSA开口定位在对应于所述接触件结构的位置处;和

-采用至少所述第二构成部分作为掩模,在所述第二介电层中蚀刻所述接触通孔;

其中,开口的亚组包括:对于所述预先确定的嵌段共聚物材料,基于所述嵌段共聚物材料的预先确定的自然周期性,具有适于在所述嵌段共聚物中形成一孔、二孔或三孔结构的尺度的开口。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述模板层的所有所述开口中提供嵌段共聚物的操作包括:将所述开口填充50-100%。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述模板层的所有所述开口中提供嵌段共聚物的操作包括:将所述开口填充50-60%。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法仅包括具有相同尺寸的开口的一个亚组,即,其中,所有开口具有相同尺寸,并且其中所述开口根据常规栅格图案排列。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述开口以相同的方向取向。

6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,至少一个开口以不同的方向取向。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法仅包括具有相同尺寸的开口的两个亚组,第一亚组和第二亚组的开口的相应尺寸是预先确定的,从而对于所用的所述预先确定的嵌段共聚物材料而言,在所述开口中分别形成两个通孔和三个通孔。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述模板层中的所述开口是矩形或正方形的。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二介电层的顶部上提供硬掩模层的操作包括:提供金属材料的单一层作为硬掩模层,并且其中,紧随其后进行所述硬掩模层的图案化。

10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第二介电层的顶部上提供硬掩模层的操作包括:提供双层结构,所述双层结构包含第一层金属材料和直接位于所述第一层金属材料的顶部的第二层介电材料,所述方法还包括:在通过对所述第一层金属材料具有选择性的光刻处理后紧接着仅使所述第二介电层图案化。

11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,使所述硬掩模层图案化的操作包括:仅在确定所述DSA开口之后,在蚀刻所述第二介电层中的所述接触通孔之前或同时,使所述第一层金属材料图案化。

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