[发明专利]一种衬底内部的电容集成结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510684784.9 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105390475A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 曾清华;陈兢;何洪文;曹立强;靖向萌 | 申请（专利权）人： | 北京大学;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种衬底内部的电容集成结构，包括衬底，该衬底上设有TSV盲孔，该TSV盲孔从侧壁表面向外依次为隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层，在该衬底表面设有第一电极层、第二电极层的引出电极。其中，衬底为Si衬底或者SOI衬底，TSV盲孔的数量为1个、2个或者多个，隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层采用ALD技术沉积。本发明通过衬底内部横向空腔结构，利用ALD工艺技术实现该结构内侧壁表面薄膜的沉积，进而在衬底内部集成电容，能够增加衬底表面可利用面积，提高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 内部 电容 集成 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底内部的电容集成结构，其特征在于，包括衬底，该衬底上设有TSV盲孔，该TSV盲孔从侧壁表面向外依次为隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层，在该衬底表面设有电极引出。
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