[发明专利]一种衬底内部的电容集成结构及其制造方法

权利要求书

1.一种衬底内部的电容集成结构，其特征在于，包括衬底，该衬底上设有TSV盲孔，该TSV盲孔从侧壁表面向外依次为隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层，在该衬底表面设有电极引出。

2.如权利要求1所述的衬底内部的电容集成结构，其特征在于，所述衬底为Si衬底或者SOI衬底。

3.如权利要求1所述的衬底内部的电容集成结构，其特征在于，所述TSV盲孔的数量为1个、2个或者多个。

4.如权利要求1所述的衬底内部的电容集成结构，其特征在于，所述隔离层、第一电极层、介质层和第二电极层采用ALD技术沉积。

5.如权利要求1所述的衬底内部的电容集成结构，其特征在于，所述隔离层为SiO₂，所述第一电极层、第二电极层为Al或Cu或Ta或TaN，所述介质层为Si₃N₄或SiO₂或HfO₂或Ta₂O₅。

6.一种制备SOI衬底内部的电容集成结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在衬底上刻蚀TSV盲孔；

2)从TSV盲孔底部向两侧进行湿法腐蚀，去除不需要的衬底中的SiO₂部分，形成横向空腔；

3)通过ALD工艺技术沉积SiO₂隔离层；

4)通过ALD工艺技术沉积第一电极层，并在衬底表面加工第一电极层的引出电极；

5)通过ALD工艺技术沉积介质层；

6)通过ALD工艺技术沉积第二电极层，并在衬底表面加工第二电极层的引出电极，至此得到衬底内部的电容集成结构。

7.一种制备SOI衬底或Si衬底内部的电容集成结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1’)准备两片衬底，分别为片I及片II；

2’)在片I表面进行光刻，并通过湿法腐蚀去除不需要的衬底中的SiO₂或Si部分，形成横向空腔；

3’)将片I与片II对准键合；

4’)在片II上刻蚀TSV通孔至已形成的横向空腔停止；

5’)通过ALD工艺技术沉积SiO₂隔离层；

6’)通过ALD工艺技术沉积第一电极层，并在衬底表面加工第一电极层的引出电极；

7’)通过ALD工艺技术沉积介质层；

8’)通过ALD工艺技术沉积第二电极层，并在衬底表面加工第二电极层的引出电极，至此得到衬底内部的电容集成结构。

8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述TSV盲孔的数量为1个、2个或者多个。

9.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述隔离层为SiO₂，所述第一电极层、第二电极层为Al或Cu或Ta或TaN，所述介质层为Si₃N₄或SiO₂或HfO₂或Ta₂O₅。