[发明专利]压接式IGBT器件

摘要

本发明公开了一种压接式IGBT器件，其包括IGBT芯片和第一金属电极，其中，第一金属电极和IGBT芯片的发射极的压接区域与第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，以及，第一金属电极和发射极的压接区域与第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距离，可以根据具体的IGBT器件设定第一预设距离和第二预设距离，以使第一金属电极和发射极在压接时产生的压力不影响IGBT芯片的第一阱区和第二阱区，避免第一阱区和第二阱区产生电特性的变化。因此，相对于现有的IGBT器件，本发明提供的技术方案无需在IGBT芯片上设计特殊的压接区域，避免了IGBT芯片的浪费，节约了资源，降低了成本，且减小了IGBT器件的体积。

主权项

一种压接式IGBT器件，包括IGBT芯片，所述IGBT芯片包括至少一个元胞，所述元胞包括发射极、集电极、第一阱区和第二阱区，且所述第一阱区和第二阱区的导电类型相同，其特征在于，所述压接式IGBT器件还包括：第一金属电极；其中，所述第一金属电极压接于所述发射极的表面，且所述第一金属电极与所述发射极的压接区域与所述第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，所述第一金属电极与所述发射极的压接区域与所述第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距离。