[发明专利]压接式IGBT器件在审
| 申请号： | 201510683900.5 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106601799A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压接式 igbt 器件 | ||
1.一种压接式IGBT器件，包括IGBT芯片，所述IGBT芯片包括至少一个元胞，所述元胞包括发射极、集电极、第一阱区和第二阱区，且所述第一阱区和第二阱区的导电类型相同，其特征在于，所述压接式IGBT器件还包括：第一金属电极；
其中，所述第一金属电极压接于所述发射极的表面，且所述第一金属电极与所述发射极的压接区域与所述第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，所述第一金属电极与所述发射极的压接区域与所述第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距离。
2.根据权利要求1所述的压接式IGBT器件，其特征在于，所述第一金属电极与所述发射极的压接区域为凸起状。
3.根据权利要求1所述的压接式IGBT器件，其特征在于，所述压接式IGBT器件包括：第二金属电极；
其中，所述第二金属电极压接于所述集电极表面。
4.根据权利要求3所述的压接式IGBT器件，其特征在于，所述第一金属电极和所述第二金属电极均为铜电极。
5.根据权利要求3所述的压接式IGBT器件，其特征在于，位于所述第一金属电极和所述发射极之间还设置有第一缓冲导电层。
6.根据权利要求5所述的压接式IGBT器件，其特征在于，位于所述第二金属电极和所述集电极之间还设置有第二缓冲导电层。
7.根据权利要求6所述的压接式IGBT器件，其特征在于，所述第一缓冲导电层和第二缓冲导电层均为钼层。
8.根据权利要求1所述的压接式IGBT器件，其特征在于，所述第一阱区和第二阱区均为P型轻掺杂阱区。
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