[发明专利]压接式IGBT器件

说明书

技术领域

本发明涉及IGBT技术领域，更具体的说，涉及一种压接式IGBT器件。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)器件是一种压控型功率器件，兼有MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管)的低导通压降两方面的优点，由于IGBT器件具有驱动功率小而饱和压降低的优点，目前IGBT器件作为一种高压开关被广泛应用到各个领域。

传统的IGBT器件在封装时，将IGBT芯片背面的集电极直接焊接在IGBT器件的导电基板上，而正面的发射极则通过引线连接至IGBT器件的外部电极上，但是由于引线自身具有寄生电感，且引线无法传导热量，而导致了IGBT器件在大功率应用中无法完全发挥其本身的潜力。因此，现有提出了一种压接式IGBT器件，以解决上述问题，但是现有的压接式IGBT器件对IGBT芯片的浪费过大，且IGBT器件的体积大。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种压接式IGBT器件，降低了对IGBT芯片的浪费，节约了资源，降低了成本，且减小了IGBT器件的体积。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种压接式IGBT器件，包括IGBT芯片，所述IGBT芯片包括至少一个元胞，所述元胞包括发射极、集电极、第一阱区和第二阱区，且所述第一阱区和第二阱区的导电类型相同，所述压接式IGBT器件还包括：第一金属电极；

其中，所述第一金属电极压接于所述发射极的表面，且所述第一金属电极与所述发射极的压接区域与所述第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，所述第一金属电极与所述发射极的压接区域与所述第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距离。

优选的，所述第一金属电极与所述发射极的压接区域为凸起状。

优选的，所述压接式IGBT器件包括：第二金属电极；

其中，所述第二金属电极压接于所述集电极表面。

优选的，所述第一金属电极和所述第二金属电极均为铜电极。

优选的，位于所述第一金属电极和所述发射极之间还设置有第一缓冲导电层。

优选的，位于所述第二金属电极和所述集电极之间还设置有第二缓冲导电层。

优选的，所述第一缓冲导电层和第二缓冲导电层均为钼层。

优选的，所述第一阱区和第二阱区均为P型轻掺杂阱区。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具体以下优点：

本发明提供的一种压接式IGBT器件，其中，压接式IGBT器件包括IGBT芯片，所述IGBT芯片包括至少一个元胞，所述元胞包括发射极、集电极、第一阱区和第二阱区，且所述第一阱区和第二阱区的导电类型相同，所述压接式IGBT器件还包括：第一金属电极；其中，所述第一金属电极压接于所述发射极的表面，且所述第一金属电极与所述发射极的压接区域与所述第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，所述第一金属电极与所述发射极的压接区域与所述第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距离。

由上述内容可知，第一金属电极和IGBT芯片的发射极的压接区域与第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，以及，第一金属电极和发射极的压接区域与第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距离，可以根据具体的IGBT器件设定第一预设距离和第二预设距离，以使第一金属电极和发射极在压接时产生的压力不影响IGBT芯片的第一阱区和第二阱区，避免第一阱区和第二阱区产生电特性的变化。因此，相对于现有的IGBT器件，本发明提供的技术方案无需在IGBT芯片上设计特殊的压接区域，避免了IGBT芯片的浪费，节约了资源，降低了成本，且减小了IGBT器件的体积。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为现有的一种压接式IGBT器件的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种压接式IGBT的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种压接式IGBT的结构示意图。

具体实施方式