[发明专利]一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法

摘要

本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的左侧；若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的上方。其中，所述的阻变介质层可为双层阻变介质，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构。本发明采用等离子修饰，在介质中或介质表面处引入缺陷，从而有效抑制负向电流值并极大提高正负向电流差值。

主权项

1.一种阻变存储器，其特征在于，包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方；其中，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构；其中一个阻变层的表面经过等离子处理；包括以下步骤：步骤S21：在衬底上通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、 ALD、MBE、PLD或蒸发法制作第一端电极；步骤S22：在所述第一端电极的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、 ALD、MBE、PLD、溶胶凝胶法或蒸发法制作第二阻变层，并与所述第一端电极形成良好电接触；步骤S23：通过等离子处理所述第二阻变层的表面；步骤S24：在所述等离子处理过第二阻变层的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、 ALD、MBE、PLD、溶胶凝胶法或蒸发法制作第一阻变层，并与所述第二阻变层形成良好电接触；步骤S25：在所述第一阻变层的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、 ALD、MBE、PLD或蒸发法制作第二端电极，并形成良好电接触；若所述步骤S22中，在所述第一端电极的左侧制作第二阻变层，则所述步骤S24中，在所述第二阻变层的左侧制作第一阻变层；若所述步骤S22中，在所述第一端电极的上方制作第二阻变层，则所述步骤S24中，在所述第二阻变层的上方制作第一阻变层；若所述步骤S24中，在所述第二阻变层的左侧制作第一阻变层，则所述步骤S25中，在所述第一阻变层的左侧制作第二端电极；若所述步骤S24中，在所述第二阻变层的上方制作第一阻变层，则所述步骤S25中，在所述第一阻变层的上方制作第二端电极；所述步骤S23中进行等离子处理采用的等离子源是Ar、O2、CF4、SF6、NH3、H2、CHF3气体中的一种或几种。