[发明专利]一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于，包括：

一衬底；

一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；

一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；

一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方；

其中，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构；其中一个阻变层的表面经过等离子处理；

包括以下步骤：

步骤S21：在衬底上通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、 ALD、MBE、PLD或蒸发法制作第一端电极；

步骤S22：在所述第一端电极的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、 ALD、MBE、PLD、溶胶凝胶法或蒸发法制作第二阻变层，并与所述第一端电极形成良好电接触；

步骤S23：通过等离子处理所述第二阻变层的表面；

步骤S24：在所述等离子处理过第二阻变层的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD、溶胶凝胶法或蒸发法制作第一阻变层，并与所述第二阻变层形成良好电接触；

步骤S25：在所述第一阻变层的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、 ALD、MBE、PLD或蒸发法制作第二端电极，并形成良好电接触；

若所述步骤S22中，在所述第一端电极的左侧制作第二阻变层，则所述步骤S24中，在所述第二阻变层的左侧制作第一阻变层；若所述步骤S22中，在所述第一端电极的上方制作第二阻变层，则所述步骤S24中，在所述第二阻变层的上方制作第一阻变层；

若所述步骤S24中，在所述第二阻变层的左侧制作第一阻变层，则所述步骤S25中，在所述第一阻变层的左侧制作第二端电极；若所述步骤S24中，在所述第二阻变层的上方制作第一阻变层，则所述步骤S25中，在所述第一阻变层的上方制作第二端电极；

所述步骤S23中进行等离子处理采用的等离子源是Ar、O₂、CF₄、SF₆、NH₃、H₂、CHF₃气体中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的一种阻变存储器，其特征在于：所述衬底为聚合物、金属、半导体或绝缘体；所述第一端电极与第二端电极均为导电金属、金属合金、导电金属化合物或半导体；所述的双层阻变介质为半导体或绝缘体。

3.根据权利要求2所述的一种阻变存储器，其特征在于：所述聚合物包括塑料、橡胶；所述导电金属包括Ta、Cu、Pt、Ti、Au、W、Ni、Al以及Ag；所述金属合金包括Pt/Ti、Ti/Ta、Cu/Ti、Cu/Au、Ti/W以及Al/Zr；所述导电金属化合物包括TiN、TiW、TaN以及WSi；所述半导体包括Si、ZrO_x、Ge、ZnO、ITO、GZO、AZO、TiO_x、TaO_x、HfO_x、GeO_x以及FTO；所述绝缘体包括AlO_x、MgO、ZrO_x、HfO_x、GeO_x以及SiO_x。